【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体制造技术中，半导体集成电路的信号通路形成交互网络。当其中一个信号通路出现问题，其他的信号通路会立刻出现信号增强。在图像传感器中，相邻的像素信号通路之间会相互影响，过近的像素信号通路会导致成像出现数字噪点。在形成像素结构的绝缘层时，辉光放电损伤会影响绝缘层和信号通路结构的成型，导致这种集成电路交互网络的信号通路效应（cross talk）不能达到理想效果，并且半导体器件的制造良率降低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法，能够提升制程良率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供一种半导体结构，至少包括：
4、衬底，所述衬底上设置逻辑金属互连层；
5、阻挡层，设置在所述衬底上，且所述阻挡层位于与所述逻辑金属互连层相对的一侧；
6、深槽隔离结构，设置在所述阻挡层上，且所述深槽隔离结构在所述阻挡层上划分出多个像素区，其中相邻的所述深槽隔离结构之间设置沉积沟槽；
7、像素传导层，设置在所述沉积沟槽内，所述像素传导层覆盖所述深槽隔离结构的部分侧壁和所述阻挡层；以及
8、像素接收层，设置在所述沉积沟槽内，且所述像素接收层覆盖在所述像素传导层上。
9、在本专利技术一实施例中，所述半导体结构包括浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构设置在所述衬底中，所
10、在本专利技术一实施例中，所述深槽隔离结构在所述阻挡层上的正投影覆盖所述浅槽隔离结构。
11、在本专利技术一实施例中，所述像素接收层和所述像素传导层的顶面齐平，且所述像素接收层的顶面低于所述深槽隔离结构的顶面。
12、在本专利技术一实施例中，所述半导体结构包括透光层，所述透光层设置在所述像素传导层上和所述像素接收层上，且所述透光层设置于相邻的所述深槽隔离结构之间。
13、在本专利技术一实施例中，所述半导体结构包括隔离传导层，所述隔离传导层设置在所述深槽隔离结构上。
14、在本专利技术一实施例中，所述半导体结构包括隔离接收层，所述隔离接收层设置在所述隔离传导层上。
15、在本专利技术一实施例中，所述半导体结构包括滤光片，所述滤光片设置在所述透光层上，且所述滤光片设置于相邻的所述隔离传导层之间和相邻的所述隔离接收层之间。
16、本专利技术提供了一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：
17、提供一衬底，并形成逻辑金属互连层于所述衬底上；
18、形成阻挡层于所述衬底上，所述阻挡层位于与所述逻辑金属互连层相对的一侧；
19、形成深槽隔离结构于所述衬底中，其中所述深槽隔离结构连接于所述阻挡层，且所述深槽隔离结构在所述阻挡层上和所述衬底中划分出多个像素区；
20、去除所述像素区的所述衬底，形成沉积沟槽；
21、形成像素传导层于所述沉积沟槽内，所述像素传导层覆盖所述深槽隔离结构的部分侧壁和所述阻挡层；以及
22、形成像素接收层于所述沉积沟槽内，所述像素接收层覆盖在所述像素传导层上。
23、在本专利技术一实施例中，形成所述像素传导层和所述像素接收层的步骤包括：
24、形成传导层于所述沉积沟槽内和所述深槽隔离结构上；
25、形成接收层于所述传导层上，且所述接收层填满所述沉积沟槽；以及
26、蚀刻部分所述传导层和所述接收层，露出所述深槽隔离结构的部分侧壁，并形成所述像素传导层和所述像素接收层。
27、如上所述，本专利技术提供了一种半导体结构及其制造方法，能够良好地隔离开相邻的像素区，并同时隔离开不同的透光通道，避免相邻的像素单元之间出现信号干扰。且本专利技术意想不到的技术效果为，根据本专利技术提供的半导体结构及其制造方法，能够避免隔离工艺对像素区造成损伤，提升像素单元的信号传导稳定性。并且，根据本专利技术提供的半导体结构的制造方法，能够简化图像传感器的形成工艺，在提升制程良率的同时，降低工艺成本。
28、当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构设置在所述衬底中，所述浅槽隔离结构的一端连接于所述阻挡层，另一端与所述逻辑金属互连层连接。
3.根据权利要求2所述的一种半导体结构，其特征在于，所述深槽隔离结构在所述阻挡层上的正投影覆盖所述浅槽隔离结构。
4.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述像素接收层和所述像素传导层的顶面齐平，且所述像素接收层的顶面低于所述深槽隔离结构的顶面。
5.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括透光层，所述透光层设置在所述像素传导层上和所述像素接收层上，且所述透光层设置于相邻的所述深槽隔离结构之间。
6.根据权利要求5所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括隔离传导层，所述隔离传导层设置在所述深槽隔离结构上。
7.根据权利要求6所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括隔离接收层，所述隔离接收层设置在所述隔离传导层上。p>
8.根据权利要求7所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括滤光片，所述滤光片设置在所述透光层上，且所述滤光片设置于相邻的所述隔离传导层之间和相邻的所述隔离接收层之间。
9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述像素传导层和所述像素接收层的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构设置在所述衬底中，所述浅槽隔离结构的一端连接于所述阻挡层，另一端与所述逻辑金属互连层连接。
3.根据权利要求2所述的一种半导体结构，其特征在于，所述深槽隔离结构在所述阻挡层上的正投影覆盖所述浅槽隔离结构。
4.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述像素接收层和所述像素传导层的顶面齐平，且所述像素接收层的顶面低于所述深槽隔离结构的顶面。
5.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括透光层，所述透光层设置在所述像素传导层上和所述像素接收层上，且所述透光层设...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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