【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体地涉及一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片。
技术介绍
1、近年来发光二极管芯片工艺快速发展，被广泛的应用于通用照明、特种照明、直显显示屏、背光显示屏、车灯等各个领,倒装发光二极管芯片更是具有耐大电流冲击、可靠性高、光效高等优点。
2、现有的发光二极管存在以下缺陷；
3、倒装发光二极管在外延层背离衬底的一面设置反射镜使外延层发出的光线从衬底面发出，一般设置银金属反射镜或无机材料的布拉格反射镜，银金属可以实现任何角度的全反射，故利用银金属反射镜制备的倒装发光二极管芯片光效高于利用无机材料的布拉格反射镜制备的发光二极管光效；但银金属反射镜与ito粘附力较低，制备过程中容易脱落，造成倒装发光二极管芯片良率降低。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，用于解决银金属反射镜与ito粘附力较低，制备过程中容易脱落，造成倒装发光二极管芯片良率降低的技术问题。
2、一方面，该专利技术提供以下技术方案，一种倒装发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：
3、提供一衬底，在所述衬底沉积半导体层；
4、利用第一制备工艺在所述半导体层上沉积第一承载层，利用第二制备工艺在所述第一承载层上沉积第二承载层，利用第三制备工艺在所述第二承载层上沉积第三承载层，以使所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层共同构成防脱落层；
5、去除部
6、在靠近所述防脱落通孔的所述防脱落层上及所述防脱落通孔内蒸镀银反射镜层，在所述银反射镜层依次沉积绝缘层及焊盘层。
7、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：通过在ito薄膜上形成防脱落层及防脱落通孔的配合，以使部分镀银反射镜层内嵌于防脱落层的防脱落通孔内，彻底解决了银反射镜容易脱落的问题，提升倒装发光二极管芯片的良率；通过所述第一制备工艺、所述第二制备工艺、所述第三制备工艺的参数不同的配合，以使在所述第一承载层的防脱落通孔的尺寸由靠近所述第二承载层自远离所述第二承载层的方向依次增大，从而使银反射镜层在防脱落通孔内形成倒钩结构，提高了银反射镜层的稳定性；在所述第三承载层的防脱落通孔的尺寸由靠近所述第二承载层自远离所述第二承载层的方向依次增大的设置，这便于后续利用电子束蒸镀工艺制备银反射镜层的过程中，金属粒子更容易的进入的第一sio2层的梯形开口内（防脱落通孔的下段）。
8、进一步的，所述半导体层包括在所述衬底表面依次沉积的n型半导体层、有源发光层、p型半导体层及电流扩展层；
9、其中，所述n型半导体层、所述有源发光层及p型半导体层是利用mocvd工艺依次制备于所述衬底表面，所述电流扩展层是利用磁控溅射工艺在所述p型半导体层表面沉积一ito薄膜形成。
10、进一步的，沉积所述绝缘层的步骤包括：
11、利用刻蚀工艺刻蚀未沉积所述银反射镜层的所述防脱落层的表面，直至暴露部分所述n型半导体层，以形成n型半导体层导电台阶，在所述银反射镜层表面、未被所述银反射镜层覆盖的所述防脱落层表面及所述n型半导体层导电台阶利用第三电子束蒸镀工艺蒸镀预设厚度的绝缘层；
12、利用cmp工艺对所述绝缘层表面进行抛光磨平，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除掉部分磨平后的所述绝缘层，以分别在所述银反射镜层上形成了p型绝缘层通孔及在所述n型半导体层导电台阶上形成n型绝缘层通孔。
13、进一步的，沉积所述焊盘层的步骤包括：
14、在利用第二电子束蒸镀工艺在靠近所述n型绝缘层通孔的所述绝缘层上及所述n型绝缘层通孔内蒸镀n型焊盘，在利用第二电子束蒸镀工艺在靠近所述p型绝缘层通孔的所述绝缘层上及所述p型绝缘层通孔内蒸镀p型焊盘，其中，所述p型焊盘与所述n型焊盘形成所述焊盘层；
15、所述p型焊盘通过所述p型绝缘层通孔与所述银反射镜层形成电性连接，所述n型焊盘通过所述n型绝缘层通孔与所述n型半导体层导电台阶形成电性连接。
16、进一步的，所述第二电子束蒸镀工艺蒸镀的金属包括ag/ni/ti/ni/ti/pt中的一种或者多种。
17、进一步的，所述第一制备工艺为第一pecvd工艺，所述第二制备工艺为第二pecvd工艺，所述第三制备工艺为第三pecvd工艺；
18、其中，所述第一pecvd工艺中sih4流量与n2o流量比自开始到结束逐渐减小，所述第一pecvd工艺中的最小的sih4流量与n2o流量的流量比大于或等于所述第二pecvd工艺中sih4流量与n2o流量比，且所述第二pecvd工艺中sih4流量与n2o流量比为定值，所述第三pecvd工艺中sih4流量与n2o流量比逐渐增大，且所述第三pecvd工艺中最小sih4流量与n2o流量比大于或等于第二pecvd工艺中sih4流量与n2o流量比。
19、进一步的，所述第一pecvd工艺中sih4流量与n2o流量比介于1:2-1:1，所述第二pecvd工艺中sih4流量与n2o流量比介于1:5-1:10，所述第三pecvd工艺中sih4流量与n2o流量比介于1:3-1:4。
20、进一步的，蒸镀所述银反射镜层是利用第一电子束蒸镀工艺蒸镀形成，所述第一电子束蒸镀工艺蒸镀的金属包括ag/ni/ti/ni/ti/pt中的一种或者多种；
21、所述第一电子束蒸镀工艺蒸镀过程中镀锅及蒸发金属源与所在平面的夹角大于60°。
22、进一步的，所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层均为sio2层。
23、本专利技术还提供一种发光二极管芯片，所述一种发光二极管芯片根据上述的倒装发光二极管芯片的制备方法制备得到。
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1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述半导体层包括在所述衬底表面依次沉积的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层及电流扩展层；
3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，沉积所述绝缘层的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，沉积所述焊盘层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第二电子束蒸镀工艺蒸镀的金属包括Ag/Ni/Ti/Ni/Ti/Pt中的一种或者多种。
6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第一制备工艺为第一PECVD工艺，所述第二制备工艺为第二PECVD工艺，所述第三制备工艺为第三PECVD工艺；
7.根据权利要求6所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第一PECVD工艺中SiH4流量与N2O流量比介于1:2-1:1，所述第二PECVD工艺中SiH
8.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层均为SiO2层。
10.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片根据权利要求1-9任一项所述的倒装发光二极管芯片的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述半导体层包括在所述衬底表面依次沉积的n型半导体层、有源发光层、p型半导体层及电流扩展层；
3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，沉积所述绝缘层的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，沉积所述焊盘层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第二电子束蒸镀工艺蒸镀的金属包括ag/ni/ti/ni/ti/pt中的一种或者多种。
6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第一制备工艺为第一pecvd工...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文涛，鲁洋，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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