一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片技术

本发明专利技术公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，所述外延片包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层与P型半导体层；其中，所述P型半导体层为周期性交叠结构层，包括交叠设置的电子阻挡子层与空穴注入子层。本发明专利技术旨在解决现有技术中电子与空穴在多量子阱层中复合效率低，使得发光强度低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种gan基发光二极管外延片及其制备方法、led芯片。

技术介绍

1、gan基ⅲ族氮化物材料，尤其是gan材料，是目前研究最热门，并已经得到广泛应用的宽禁带化合物半导体材料。其优异的物理化学性能使其在，发光二极管（led，lightemitting diode）、激光器、功率器件、紫外光探测器等领域被大量研究。尤其在led领域，ingan超高度蓝光、绿光led技术已经实现商品化，ingan基led产品有加速替代传统照明的趋势。

2、由于gan基材料中空穴的有效质量较大，迁移率较低，因此很难有效地注入到有源区中和电子复合。故现有技术中还存在电子与空穴在多量子阱层中复合效率低，使得发光强度低的技术问题。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种gan基发光二极管外延片及其制备方法、led芯片，旨在解决现有技术中还存在电子与空穴在多量子阱层中复合效率低，使得发光强度低的技术问题。

2、本专利技术的第一方面在于提供一种gan基发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括：

2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡子层与所述空穴注入子层交叠的周期数为5—10个。

3.根据权利要求2所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述P型半导体层中，靠近所述多量子阱层一侧的至少一个电子阻挡子层为AlN子层，其余所述电子阻挡子层均为AlGaN子层，所述空穴注入子层为GaN子层。

4.根据权利要求3所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，靠近所述多量子阱层一侧的第一个电子阻挡子层为AlN子层，其余所述电子阻挡子层均为AlGaN子层。...

【技术特征摘要】

1.一种gan基发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括：

2.根据权利要求1所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡子层与所述空穴注入子层交叠的周期数为5—10个。

3.根据权利要求2所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，所述p型半导体层中，靠近所述多量子阱层一侧的至少一个电子阻挡子层为aln子层，其余所述电子阻挡子层均为algan子层，所述空穴注入子层为gan子层。

4.根据权利要求3所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，靠近所述多量子阱层一侧的第一个电子阻挡子层为aln子层，其余所述电子阻挡子层均为algan子层。

5.根据权利要求4所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，每个algan子层的al组分沿外延生长方向逐渐降低。

6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡加辉，刘春杨，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：