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本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，所述外延片包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层与P型半导体层；其中，所述P型半导体层为...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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