【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及半导体器件，且更具体地涉及在两步工艺中形成电磁干扰(emi)屏蔽材料以避免污染电连接器的半导体器件和方法。
技术介绍
1、半导体器件常见于现代电子产品中。半导体器件执行范围广泛的功能，诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、光电、以及创建用于电视显示的视觉图像。半导体器件见于通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中。半导体器件还见于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公室装备中。
2、特别是在高频应用(诸如，射频(rf)无线通信)中，半导体器件常常包含用于执行必要电气功能的一个或多个集成无源器件(ipd)。针对小空间中的更高密度和扩展的电气功能性，多个半导体管芯和ipd可以集成到sip模块中。在sip模块内，针对结构支撑和电互连，半导体管芯和ipd被设置在衬底上。密封剂被沉积在半导体管芯、ipd和衬底上方。针对电气部件与外部器件之间的电气通信，电连接器被设置在衬底上。sip模块被部分地模塑，这是因为密封剂未延伸到电连接器。电连接器在衬底上是独立式的。
3、sip模块包括针对小尺寸和低高度而高度集成且以高时钟频率进行操作的高速数字和rf电气部件。电磁屏蔽材料通常被共形地应用在密封剂上方。电磁屏蔽层减小或抑制emi、rfi和其他器件间干扰(例如，如高速数字器件所辐射)，以免影响sip模块内或邻近于sip模块的相邻器件。
4、然而，重要的是，将电连接器保持没有虚假屏蔽材料以避免失效。emi屏蔽材料的共形应用对于部分模塑的器件而言难以控制，特别是关于独
技术实现思路
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：电气部件，被设置在所述衬底上方。
3.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：天线，被形成在所述衬底的与所述衬底的第一表面相对的第二表面上方。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一屏蔽材料覆盖所述密封剂的部分和所述衬底的部分，同时维持与所述电连接器的分离。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中在未利用所述第一屏蔽材料覆盖所述电连接器的情况下，所述第一屏蔽材料覆盖所述衬底的部分。
6.一种半导体器件，包括：
7.如权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：
8.如权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：天线，被形成在所述衬底上方。
9.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二屏蔽材料与所述第一屏蔽材料重叠。
10.如权利要求6所述的半导体器件，其中在未利用所述第一屏蔽材料覆盖所述电连接器的情况下，所述第一屏蔽材料覆盖所述衬底的部分。
11.一种制作半导体器件的方法，包括：>
12.如权利要求11所述的方法，进一步包括：
13.如权利要求11所述的方法，进一步包括：在所述衬底的与所述衬底的第一表面相对的第二表面上方形成天线。
14.如权利要求11所述的方法，其中所述第二屏蔽材料与所述第一屏蔽材料重叠。
15.如权利要求11所述的方法，其中在未利用所述第一屏蔽材料覆盖所述电连接器的情况下，所述第一屏蔽材料覆盖所述衬底的部分。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：电气部件，被设置在所述衬底上方。
3.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：天线，被形成在所述衬底的与所述衬底的第一表面相对的第二表面上方。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一屏蔽材料覆盖所述密封剂的部分和所述衬底的部分，同时维持与所述电连接器的分离。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中在未利用所述第一屏蔽材料覆盖所述电连接器的情况下，所述第一屏蔽材料覆盖所述衬底的部分。
6.一种半导体器件，包括：
7.如权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：
8.如权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：天线，被形成在所述衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：金昌伍，郑珍熙，权五玟，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。