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在两步工艺中形成EMI屏蔽材料以避免污染电连接器的半导体器件和方法技术
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下载在两步工艺中形成EMI屏蔽材料以避免污染电连接器的半导体器件和方法的技术资料
文档序号:40132290
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一种半导体器件具有衬底和在所述衬底上方沉积的密封剂。将电连接器设置在所述衬底上方所述密封剂外。可以将天线形成在所述衬底上方。在未利用第一屏蔽材料覆盖所述电连接器的情况下将所述第一屏蔽材料设置在所述密封剂的部分上方。使用直接喷射打印机将所述第...
该专利属于星科金朋私人有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过星科金朋私人有限公司授权不得商用。
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