衬底处理装置和衬底处理方法制造方法及图纸

一种衬底处理装置，包括：处理室，包括等离子体生成区、气体混合区和衬底处理区；第一气体供应管线，向等离子体生成区供应第一处理气体；第二气体供应管线，向气体混合区供应第二处理气体；离子阻挡器，设置在等离子体生成区和气体混合区之间；以及喷头，设置在气体混合区和衬底处理区之间，其中，离子阻挡器具有第一阻挡器流动路径单元，该第一阻挡器流动路径单元连接到第二气体供应管线并且对等离子体生成区开放，使得第二处理气体被供应给等离子体生成区。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及衬底处理装置和衬底处理方法。

技术介绍

1、等离子体可以在处理衬底的过程中使用。例如，等离子体可以用于干法清洗、灰化或蚀刻工艺。等离子体是通过非常高的温度、强电场或高频电磁场(rf电磁场)生成的。等离子体是指由离子、电子或自由基组成的电离气态物质。当等离子体中包括的离子或自由基粒子与衬底碰撞时，执行使用等离子体的干法清洗工艺、灰化工艺或蚀刻工艺。

2、同时，在等离子体蚀刻工艺中，通过在处理室的气体混合区中混合气体和自由基的混合过程来生成用于蚀刻衬底的蚀刻剂(反应气体或蚀刻气体)。然而，由于处理气体仅在气体混合区中与自由基反应，因此蚀刻剂的生成效率存在限制。

3、(专利文献1)韩国专利公开no.10-2021-0024241

技术实现思路

1、已经设计了本公开以解决上述问题，并且本公开的一个方面是提供用于提高用于处理衬底的蚀刻剂的生成效率的衬底处理装置和衬底处理方法。

2、根据本公开的一个方面，一种衬底处理装置，包括：处理室，包括等离子体生成区、气体混合区和衬底处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种衬底处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一阻挡器流动路径单元包括：

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，多个所述第一阻挡器孔设置为沿着所述第一阻挡器通道彼此间隔开。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述离子阻挡器具有第二阻挡器流动路径单元，所述第二阻挡器流动路径单元连接到所述第二气体供应管线并且对所述气体混合区开放，使得所述第二处理气体被供应给所述气体混合区。

5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述第二阻挡器流动路径单元包括：

6.根据权利要求1所述的衬底处理...

【技术特征摘要】

1.一种衬底处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一阻挡器流动路径单元包括：

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，多个所述第一阻挡器孔设置为沿着所述第一阻挡器通道彼此间隔开。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述离子阻挡器具有第二阻挡器流动路径单元，所述第二阻挡器流动路径单元连接到所述第二气体供应管线并且对所述气体混合区开放，使得所述第二处理气体被供应给所述气体混合区。

5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述第二阻挡器流动路径单元包括：

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述离子阻挡器被划分为形成在中心部分中的第一区域和设置在所述第一区域周围的第二区域。

7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中，所述第一阻挡器流动路径单元形成在所述第一区域中。

8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中，所述离子阻挡器具有第二阻挡器流动路径单元，所述第二阻挡器流动路径单元连接到所述第二气体供应管线并且对所述气体混合区开放，使得所述第二处理气体被供应给所述气体混合区，

9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述离子阻挡器具有形成在其中的将所述等离子体生成区和所述气体混合区连接的阻挡器通孔，

10.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述喷头具有喷头流动路径单元，所述喷头流动路径单元连接到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：安成杓，朱润钟，林铉民，韩旻成，李宰厚，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：