【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺设备，具体涉及一种晶圆镀膜洗边装置。
技术介绍
1、电镀工艺洗边技术是指镀液中的金属离子在外电场的作用下，在阴极上沉积金属薄膜后将晶圆边缘用溶液刻蚀去除的过程，通常用于铜、钴等金属薄膜沉积后去除晶圆边缘镀层，从而避免金属污染等问题。
2、现有电镀工艺洗边方式一般是在晶圆旋转情况下，直接朝晶圆连续喷液刻蚀洗边，每次工艺时间长并浪费大量刻蚀液，从而产生很多废液，尤其不能严格保证洗边宽度和稳定性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种晶圆镀膜洗边装置，既能通过挡水圈的设置达到对晶圆洗边宽度一致使得洗边均匀性的目的，又能提升洗边效率和洗边效果稳定性，同时能够保障合理使用洗边溶液，降低电镀沉积工艺成本。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：
3、提供一种晶圆镀膜洗边装置，包括至少两个挡水圈，所述挡水圈包括侧壁部、上壁部和下壁部，所述侧壁部、上壁部和下壁部构成一个凹槽，晶圆的镀膜部分伸入所述凹槽内且与所述侧壁部、所述上壁部和所述下壁部之间均有空隙。
4、在一些实施例中，所述上壁部相对于水平面斜向下设置，使得所述上壁部与所述侧壁部具有小于90°的夹角。
5、在一些实施例中，所述上壁部和所述下壁部的横截面形状为与所述镀膜部分的周向曲度相等的局部圆环结构。
6、在一些实施例中，所述上壁部和所述下壁部的横截面形状为与所述镀膜部分的周向曲度相等的半个圆环结构，使得两个所述挡水圈拼在一起时构成一个圆环
7、在一些实施例中，所述挡水圈由挡水圈支架支撑。
8、在一些实施例中，所述晶圆安装于晶圆旋转支架上，晶圆正面喷嘴设于所述晶圆上方，晶圆背面喷嘴设于所述晶圆下方。
9、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
10、针对晶圆镀膜洗边设计的挡水圈结构，能够实现对喷出洗边溶液的流向控制，在无需使用昂贵刻蚀液喷嘴的情况下，既能通过挡水圈的设置达到对晶圆洗边宽度一致使得洗边均匀性的目的，又能提升洗边效率和洗边效果稳定性，同时能够保障合理使用洗边溶液，降低电镀沉积工艺成本。
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1.一种晶圆镀膜洗边装置，其特征在于，包括至少两个挡水圈，所述挡水圈包括侧壁部、上壁部和下壁部，所述侧壁部、上壁部和下壁部构成一个凹槽，晶圆的镀膜部分伸入所述凹槽内且与所述侧壁部、所述上壁部和所述下壁部之间均有空隙。
2.根据权利要求1所述的晶圆镀膜洗边装置，其特征在于，所述上壁部相对于水平面斜向下设置，使得所述上壁部与所述侧壁部具有小于90°的夹角。
3.根据权利要求2所述的晶圆镀膜洗边装置，其特征在于，所述上壁部和所述下壁部的横截面形状为与所述镀膜部分的周向曲度相等的局部圆环结构。
4.根据权利要求3所述的晶圆镀膜洗边装置，其特征在于，所述上壁部和所述下壁部的横截面形状为与所述镀膜部分的周向曲度相等的半个圆环结构，使得两个所述挡水圈拼在一起时构成一个圆环结构。
5.根据权利要求4所述的晶圆镀膜洗边装置，其特征在于，所述挡水圈由挡水圈支架支撑。
6.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆镀膜洗边装置，其特征在于，所述晶圆安装于晶圆旋转支架上，晶圆正面喷嘴设于所述晶圆上方，晶圆背面喷嘴设于所述晶圆下方。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆镀膜洗边装置，其特征在于，包括至少两个挡水圈，所述挡水圈包括侧壁部、上壁部和下壁部，所述侧壁部、上壁部和下壁部构成一个凹槽，晶圆的镀膜部分伸入所述凹槽内且与所述侧壁部、所述上壁部和所述下壁部之间均有空隙。
2.根据权利要求1所述的晶圆镀膜洗边装置，其特征在于，所述上壁部相对于水平面斜向下设置，使得所述上壁部与所述侧壁部具有小于90°的夹角。
3.根据权利要求2所述的晶圆镀膜洗边装置，其特征在于，所述上壁部和所述下壁部的横截面形状为与所述镀膜部分的...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉海忠，闫晓晖，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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