【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于新材料制备，涉及一种具有平行排列取向的镍系纳米片阵列的制备方法。
技术介绍
1、在纳米片阵列的制备中，材料的成核普遍起源于无规则的热力学波动，使得纳米片在基底材料上生长方向无序，最终呈现杂乱排布，无择优取向。目前平行排列取向的片状阵列仅能通过自上而下的物理方法实现，如激光刻蚀、3d打印等方法。而受技术精度限制，这些物理方法获得的片状阵列，其阵列间距、片厚度和尺寸均无法到达纳米尺度，发展新型平行排列取向的纳米片阵列制备方法具有较大的科学意义。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于针对目前难以实现的纳米片有序阵列，提供一种操作简单、条件温和的制备具有平行排列取向的镍系纳米片阵列的制备方法。包括如下步骤：
2、第一步，将10～100μmol镍盐分散在装有20～50ml惰性有机溶剂的烧瓶中，得到混合均匀的浅绿色液体；
3、第二步，将生长基底加入上述烧瓶中，烧瓶置于90～140℃油浴中，搅拌保温30～120min，取出单颈烧瓶；
4、第三步，从烧瓶中取出生长基底，使用乙醇冲洗1～5次，将材料在30～50℃的烘箱中进行干燥，即得到负载于基底的具有平行排列取向的镍系纳米片阵列。
5、在本专利技术中，所述的镍盐包括nicl2、ni(oac)2、niso4、ni(acac)2或ni(no3)2中的任意一种。
6、在本专利技术中，所述的惰性溶剂包括苯甲醚、二苯醚、正丁醚中的任意一种。
7、在本专利技术中，所述的基底
8、通过上述制备方法得到一种具有平行排列取向的镍系纳米片阵列，所述的纳米片阵列在基底上呈现平行排列的取向趋势；阵列的形貌特征包括：纳米片垂直于基底平行排列，片间距100～1000nm；单个纳米片厚度为10～60nm，片径200～1000nm。
9、在本专利技术中，如果没有特别地说明，所采用的溶液都是在常规条件下制备的，比如在室温下将物质溶解在水溶液中制备得到的。
10、在本专利技术中，如果没有特别地说明，所采用的装置、仪器、设备、材料、工艺、方法、步骤、制备条件等都是本领域常规采用的或者本领域普通技术人员按照本领域常规采用的技术可以容易地获得的。
11、本专利技术首次合成了具有平行排列取向的镍系纳米片阵列，该合成方法具有如下优点：
12、1.条件温和，得到的平行排列的纳米片尺寸和形貌均一；
13、2.平行排列无任何表面活性剂或模板辅助，合成方法简单易行；
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1.一种具有平行排列取向的镍系纳米片阵列，其特征在于：所述的纳米片阵列在基底上呈现平行排列的取向趋势。
2.根据权利要求1所述的一种具有排列取向的非晶镍系纳米片阵列，其特征在于：纳米片垂直于基底平行排列，片间距100～1000nm。
3.根据权利要求1所述的一种具有排列取向的非晶镍系纳米片阵列，其特征在于：单个纳米片厚度为10～60nm，片径200～1000nm。
4.一种具有排列取向的非晶镍系纳米片阵列的制备方法，其特征有如下步骤，
5.根据权利要求1所述的具有排列取向的非晶镍系纳米片阵列的制备方法，其特征在于：所述的镍盐包括NiCl2、Ni(OAc)2、NiSO4、Ni(acac)2或Ni(NO3)2等中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的具有排列取向的非晶镍系纳米片阵列的制备方法，其特征在于：所述的惰性溶剂包括苯甲醚、二苯醚、正丁醚等中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的具有排列取向的非晶镍系纳米片阵列的制备方法，其特征在于：所述的基底包括有碳纤维、碳纳米管、过渡金属等纳米线或纳米管中的任意一种。<...
【技术特征摘要】
1.一种具有平行排列取向的镍系纳米片阵列，其特征在于：所述的纳米片阵列在基底上呈现平行排列的取向趋势。
2.根据权利要求1所述的一种具有排列取向的非晶镍系纳米片阵列，其特征在于：纳米片垂直于基底平行排列，片间距100～1000nm。
3.根据权利要求1所述的一种具有排列取向的非晶镍系纳米片阵列，其特征在于：单个纳米片厚度为10～60nm，片径200～1000nm。
4.一种具有排列取向的非晶镍系纳米片阵列的制备方法，其特征有如下步骤，
5.根据...
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