【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体处理设备，特别涉及一种斜面刻蚀设备的晶圆定位机构、斜面刻蚀设备及晶圆的传片方法。
技术介绍
1、集成电路是由晶圆或衬底形成的，在晶圆或衬底上形成图案化微电子层。在衬底处理中，经常使用等离子体以蚀刻在该衬底上沉积的膜的预定部分。通常，蚀刻等离子体密度在该衬底的边缘附近比较低，这可能导致多晶硅层、氮化物层、金属层等等(共同被称为副产物层)在该衬底斜面边缘(bevel edge)的上下表面上累积。当连续的副产物层由于一些不同的蚀刻工艺而沉积在该衬底斜面边缘的上下表面上时，该副产物层和该衬底之间的粘合会变弱从而该副产物层在衬底转移过程中可能散裂或剥落，通常落在其它衬底上，污染其它衬底。
2、为了去除半导体晶圆的斜面边缘处的副产物层，现有技术目前通过提供一种斜面蚀刻机，半导体晶圆的斜面边缘在该斜面蚀刻机中经受等离子体清洁。为了实现对所述斜面边缘处的副产物层进行有效清洁，且不损坏晶圆中心区域的半导体器件，需要实现晶圆中心与斜面刻蚀设备的基座中心进行精确的对准，而现有技术中机械手将晶圆放置在所述基座上时，晶圆中心和所述...
【技术保护点】
1.一种斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，所述斜面刻蚀设备包括：设有晶圆传输窗口的腔体，位于所述腔体内的基座，环绕所述基座设置的下介质环和设置在所述下介质环外围的下电极环，其特征在于，所述斜面刻蚀设备的晶圆定位机构包括：驱动机构和两组对准组件，所述驱动机构用于驱动所述对准组件在上升位置和下降位置之间运动，所述对准组件沿所述基座的周向间隔设置，所述对准组件处于上升位置时，所述晶圆的边缘接触所述对准组件以将所述晶圆的中心与所述基座的中心对准。
2.如权利要求1所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于每一所述对准组件包括升降杆；所述驱动机构为一个，两个所述升降杆均...
【技术特征摘要】
1.一种斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，所述斜面刻蚀设备包括：设有晶圆传输窗口的腔体，位于所述腔体内的基座，环绕所述基座设置的下介质环和设置在所述下介质环外围的下电极环，其特征在于，所述斜面刻蚀设备的晶圆定位机构包括：驱动机构和两组对准组件，所述驱动机构用于驱动所述对准组件在上升位置和下降位置之间运动，所述对准组件沿所述基座的周向间隔设置，所述对准组件处于上升位置时，所述晶圆的边缘接触所述对准组件以将所述晶圆的中心与所述基座的中心对准。
2.如权利要求1所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于每一所述对准组件包括升降杆；所述驱动机构为一个，两个所述升降杆均设置在所述驱动机构上，所述驱动机构用于驱动两个所述升降杆在所述上升位置和所述下降位置之间运动；
3.如权利要求2所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于，
4.如权利要求3所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于，两根所述升降杆往基座中心方向的延长线之间的夹角大于或等于60°，且小于180°。
5.如权利要求4所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于，所述下介质环中设有通孔，至少部分所述升降杆设置在所述通孔中。
6.如权利要求5所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于，所述对准组件还包括：对准部，其设置在所述升降杆的顶端，当通过所述晶圆传输窗口向所述腔体内部进行传片定位时，所述升降杆升起至上升位置，使所述晶圆的边缘与所述对准部接触。
7.如权利要求6所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于，所述对准部和所述升降杆均采用陶瓷材料制备。
8.如权利要求6所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于，还包括：形成在所述对准部和所述升降杆的表面上的抗腐蚀材料层。
9.如权利要求2所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于，所述对准组件还包括：连接部和定位部；
10.如权利要求9所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于，还包括：在所述下电极环内侧设有的定位槽和在所述下电极环外侧设有的收纳槽，
11.如权利要求10所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构，其特征在于，所述定位部采用陶瓷材料制备。
12.一种晶圆的传片方法，其特征在于，采用如权利要求3所述的斜面刻蚀设备的晶圆定位机构实现，所述基座还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，陆顺开，孙诗韵，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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