【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，特别涉及一种垂直腔面发射激光器阵列及激光发射器。
技术介绍
1、垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，vcsel)是以砷化镓等半导体材料为基础研制，有别于发光二极管和激光二极管等其他光源的半导体装置。具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉和易集成为大面积阵列等优点，广泛应用与光通信、光互连、光存储等领域。但是，一般的垂直腔面发射激光器阵列的发散角较大，限制了发光范围，也增加了后期光学设计的复杂度。
2、因此，如何获取小发散角的垂直腔面发射激光器阵列，增加光射范围，并缩小后期光学设计的复杂度已经成为亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请提出一种垂直腔面发射激光器阵列及激光发射器。本申请将垂直腔面发射激光器阵列设计为一维线性排列结构，通过电流限制层获取发光孔，在短脉冲大电流的工作条件下减小了发散角的直径。本申请提高了光射范围范围，同时也缩小后期光学
【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述发光单元还包括：
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于：所述发光单元还包括第一欧姆金属，且所述第一欧姆金属呈环状。
4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于：所述绝缘层上设置有第一电极，且所述第一电极通过所述第一欧姆金属与所述发光单元欧姆接触。
5.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于：所述第一欧姆金属为圆环状、椭圆形环状、矩形环状或六边形环状。p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述发光单元还包括：
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于：所述发光单元还包括第一欧姆金属，且所述第一欧姆金属呈环状。
4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于：所述绝缘层上设置有第一电极，且所述第一电极通过所述第一欧姆金属与所述发光单元欧姆接触。
5.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于：所述第一欧姆金属为圆环状、椭圆形环状、矩形环状或六边形环状。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘嵩，梁栋，张成，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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