【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基于pm系列宽带隙聚合物和y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器及制备方法，属于有机半导体新型存储器和信息。
技术介绍
1、现代电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等越来越普及，存储器也变得越来越重要。存储器是电子设备中不可或缺的一部分，在当今社会中存储器被广泛应用于各个领域，随着科技的不断进步，存储器的需求也越来越大，存储器性能、稳定性和可靠性也面临更高的要求。
2、然而，现代电子计算机的存储器与中央处理器单元分离中存在着冯诺依曼瓶颈，由于存储器的速度和容量无法与cpu的速度和性能相匹配，从而制约了计算机系统的整体性能。因此，开发新型的存储器技术变得至关重要。出现了一些新型存储器技术，如磁存储器、相变存储器、量子存储器和ofet存储器。ofet存储器是一种有潜力的解决方案，与传统存储器相比，它们具有较高的可扩展性、低成本、易于制造等优点，并且可以满足未来可穿戴电子设备等领域对存储器的高度要求。
3、ofet有机存储器可以分为不同类型，包括铁电型、浮栅型、驻极体型等。铁电型ofet存储器使...
【技术保护点】
1.基于PM系列宽带隙聚合物和Y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、存储介质层、栅绝缘层及栅极；所述存储介质层为共混材料体系；共混材料体系包括PM系列宽带隙聚合物和Y6受体；
2.根据权利要求1所述的基于PM系列宽带隙聚合物和Y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述的PM系列宽带隙聚合物为PM6，其结构式如下：
3.根据权利要求1所述的基于PM系列宽带隙聚合物和Y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述存储介质层为PM系列宽带隙聚合物和Y6混合...
【技术特征摘要】
1.基于pm系列宽带隙聚合物和y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、存储介质层、栅绝缘层及栅极；所述存储介质层为共混材料体系；共混材料体系包括pm系列宽带隙聚合物和y6受体；
2.根据权利要求1所述的基于pm系列宽带隙聚合物和y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述的pm系列宽带隙聚合物为pm6，其结构式如下：
3.根据权利要求1所述的基于pm系列宽带隙聚合物和y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述存储介质层为pm系列宽带隙聚合物和y6混合后一起旋涂形成的单层结构，厚度为10-15nm，或为pm系列宽带隙聚合物和y6分别旋涂形成的多层结构，厚度为20-25nm。
4.根据权利要求1所述的基于pm系列宽带隙聚合物和y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，采用带氧化层的掺杂硅晶圆作为栅极即为衬底；或采用衬底为玻璃片或pet，在其上形成栅极，栅极材料为铜、铝、金或聚苯胺、聚噻吩。
...【专利技术属性】
技术研发人员：卞临沂，崇昊，周鑫阳，徐兆成，张广维，解令海，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。