【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，具体涉及一种倒装薄膜led芯片及其制备方法。
技术介绍
1、led作为新一代固体冷光源，具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点，是理想的节能环保产品，适用各种照明场所。为了提高led芯片的发光效率，发展了倒装led芯片工艺，以减少电极对出光面的遮挡。
2、目前的倒装led芯片利用蓝宝石衬底的透光特性，将led发光从蓝宝石衬底面出射，从而将芯片制备成倒装结构。若需要制备倒装薄膜led芯片，则需要采用蓝宝石激光剥离工艺将衬底进行剥离形成。但是，激光剥离工艺的成本高、所需时间长且良率低，使得产业化实现困难。
技术实现思路
1、本申请提供一种倒装薄膜led芯片及其制备方法，不需要采用激光剥离工艺即可制备倒装薄膜led芯片，进而避免了激光剥离工艺带来的成本高、所需时间长且良率低的问题。
2、本申请实施例提供了一种倒装薄膜led芯片的制备方法，包括：
3、在硅基衬底进行外延生长形成外延结构，外延结构包括在硅基衬底上依次堆叠的第一半导体层、活性层和第二半导体层；
4、基于外延结构形成与第一半导体层电连接的第一电极以及与第二半导体层电连接的第二电极；
5、采用化学腐蚀去除硅基衬底。
6、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片的制备方法，在采用化学腐蚀去除硅基衬底之前还包括：
7、提供一临时固定层，并采用键合工艺将第二半导体层与临时固定层进行键合。
8、在一些实施例中的倒装薄膜led
9、提供一量子点白光转化层，将量子点白光转化层与第一半导体层中远离第二半导体层的一侧进行贴合；
10、去除临时固定层。
11、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片的制备方法，采用化学腐蚀去除硅基衬底之后还包括：
12、对第一半导体层的表面进行粗化处理。
13、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片的制备方法，采用键合工艺将第二半导体层与临时固定层进行键合具体包括：
14、提供第一有机粘合层，通过键合工艺将第二半导体层与临时固定层通过第一有机粘合层进行键合。
15、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片的制备方法，将量子点白光转化层与第一半导体层中远离第二半导体层的一侧进行贴合包括：
16、提供第二有机粘合层，将量子点白光转化层和第一半导体层通过第二有机粘合层。
17、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片的制备方法，第一有机粘合层和第二有机粘合层均为热固化型树脂层或光固化型树脂层。
18、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片的制备方法，基于外延结构形成与第一半导体层电连接的第一电极以及与第二半导体层电连接的第二电极包括：
19、蚀刻外延结构形成一通槽，通槽贯穿活性层和第二半导体层，以露出第一半导体层；
20、在第二半导体层的表面形成与第二半导体层欧姆接触的金属反射层；
21、形成一覆盖金属反射层和通槽的绝缘层，并在绝缘层上开设通孔以分别暴露部分金属反射层和第一半导体层；
22、在绝缘层上形成第一电极和第二电极，第一电极与第一半导体层电连接，第二电极金属反射层电连接。
23、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片的制备方法，第一半导体层和第二半导体层的材料包括氮化镓。
24、本申请实施例还提供了一种倒装薄膜led芯片，包括：
25、外延结构，外延结构包括依次堆叠的第一半导体层、活性层和第二半导体层；外延层中具有通槽，通槽贯穿活性层和第二半导体层，以露出第一半导体层；
26、金属反射层，金属反射层位于第二半导体层上且避开通槽；
27、绝缘层，金属反射层位于金属反射层上并填充通槽；
28、第一电极，第一电极与第一半导体层电连接；
29、第二电极，第二电极与金属反射层电连接。
30、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片，第一半导体层和第二半导体层的材料均包括氮化镓。
31、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片，还包括量子点白光转化层，量子点白光转化层通过有机粘合层与第一半导体层中远离第二半导体层的一侧粘合。
32、在一些实施例中的倒装薄膜led芯片，有机粘合层为热固化型树脂层或光固化型树脂层。
33、本申请提供的倒装薄膜led芯片及其制备方法，倒装薄膜led芯片的制备方法通过直接硅基衬底上进行外延生长形成外延结构，之后基于外延结构形成第一电极和第二电极；在设置完第一电极和第二电极之后就采用化学腐蚀去除硅基衬底；在此过程中直接利用化学腐蚀的方式去除硅基衬底，并不需要采用激光剥离工艺即可制备倒装薄膜led芯片，进而避免了激光剥离工艺带来的成本高、所需时间长且良率低的问题。
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1.一种倒装薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的倒装薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述采用化学腐蚀去除所述硅基衬底之前还包括：
3.根据权利要求2所述的倒装薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于，所述采用化学腐蚀去除所述硅基衬底之后还包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的倒装薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于，所述采用化学腐蚀去除所述硅基衬底之后还包括：
5.根据权利要求3所述的倒装薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于，所述采用键合工艺将所述第二半导体层与所述临时固定层进行键合具体包括：
6.根据权利要求5所述的倒装薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于，所述将所述量子点白光转化层与所述第一半导体层中远离所述第二半导体层的一侧进行贴合包括：
7.根据权利要求6所述的倒装薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一有机粘合层和所述第二有机粘合层均为热固化型树脂层或光固化型树脂层。
8.根据权利要求6或7所述的倒装薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于，所
9.根据权利要求8所述的倒装薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料包括氮化镓。
10.一种倒装薄膜LED芯片，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的倒装薄膜LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料均包括氮化镓。
12.根据权利要求11所述的倒装薄膜LED芯片，其特征在于，还包括量子点白光转化层，所述量子点白光转化层通过有机粘合层与所述第一半导体层中远离所述第二半导体层的一侧粘合。
13.根据权利要求12所述的倒装薄膜LED芯片，其特征在于，所述有机粘合层为热固化型树脂层或光固化型树脂层。
...【技术特征摘要】
1.一种倒装薄膜led芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的倒装薄膜led芯片的制备方法，其特征在于，在所述采用化学腐蚀去除所述硅基衬底之前还包括：
3.根据权利要求2所述的倒装薄膜led芯片的制备方法，其特征在于，所述采用化学腐蚀去除所述硅基衬底之后还包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的倒装薄膜led芯片的制备方法，其特征在于，所述采用化学腐蚀去除所述硅基衬底之后还包括：
5.根据权利要求3所述的倒装薄膜led芯片的制备方法，其特征在于，所述采用键合工艺将所述第二半导体层与所述临时固定层进行键合具体包括：
6.根据权利要求5所述的倒装薄膜led芯片的制备方法，其特征在于，所述将所述量子点白光转化层与所述第一半导体层中远离所述第二半导体层的一侧进行贴合包括：
7.根据权利要求6所述的倒装薄膜led芯片的制备方法，其特征在于，所述第一有机粘合层和所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭胜友，桑永昌，李健林，
申请(专利权)人：惠州视维新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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