【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体涉及控制流体流动。更具体地，本公开涉及控制半导体处理系统中的流体流动，例如用于在半导体器件制造期间将膜沉积到衬底上的半导体处理系统中的流体流动。
技术介绍
1、半导体处理系统，例如用于在半导体器件制造期间将材料层沉积到衬底上的半导体处理系统，通常在半导体器件制造期间使用流体流。在一些半导体处理操作中，流体可能含有危险材料。例如，用于将材料层沉积到衬底上的半导体处理系统可以使用包含已知对人体健康有害、易燃和/或具有腐蚀性的材料的流体。半导体处理系统也可能排出含有危险材料的排放流，例如在处理操作期间产生的残留材料层前体和/或反应产物。为了确保安全，半导体处理系统因此通常包括有效限制(或消除)与处理期间包含危险材料的流体流相关的风险的对策。例如，用于控制含有危险材料的流体流量的流动控制设备通常容纳在外壳内—在处理期间流体从流动控制设备中泄漏的不太可能的情况下，使用通风流对外壳进行通风，以从外壳内去除危险材料。出于类似的原因，惰性气体和/或稀释剂通常混合到包含半导体处理系统在半导体处理期间产生的易燃和/或腐蚀性材料的排放流中。p>
2、通常，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种流动控制装置，包括：
2.根据权利要求1所述的流动控制装置，其中，所述壳体包括包围所述隔离阀和流动开关的防篡改主体。
3.根据权利要求1所述的流动控制装置，还包括：
4.根据权利要求1所述的流动控制装置，还包括：
5.根据权利要求1所述的流动控制装置，还包括控制器，其布置在所述壳体的外部，并且将所述流动开关可操作地连接到所述隔离阀。
6.根据权利要求5的流动控制装置，其中，所述控制器包括安全可编程逻辑控制器设备。
7.根据权利要求5所述的流动控制装置，其中，所述控制器包括与存储器通信的处理...
【技术特征摘要】
1.一种流动控制装置，包括：
2.根据权利要求1所述的流动控制装置，其中，所述壳体包括包围所述隔离阀和流动开关的防篡改主体。
3.根据权利要求1所述的流动控制装置，还包括：
4.根据权利要求1所述的流动控制装置，还包括：
5.根据权利要求1所述的流动控制装置，还包括控制器，其布置在所述壳体的外部，并且将所述流动开关可操作地连接到所述隔离阀。
6.根据权利要求5的流动控制装置，其中，所述控制器包括安全可编程逻辑控制器设备。
7.根据权利要求5所述的流动控制装置，其中，所述控制器包括与存储器通信的处理器，所述存储器包括记录有多个程序模块的非暂时性机器可读介质，所述程序模块包含指令，所述指令在被处理器读取时使处理器：
8.根据权利要求1所述的流动控制装置，其中，所述隔离阀是第一隔离阀，并且还包括第二隔离阀，其中第二隔离阀布置在所述壳体中，并且将第一隔离阀联接到所述出口导管，并且其中第二隔离阀可操作地与所述流动开关相关联。
9.根据权利要求8所述的流动控制装置，还包括：
10.根据权利要求8所述的流动控制装置，还包括：
11.根据权利要求9所述的流动控制装置，其中，所述控制器包括与存储器通信的处理器，所述存储器包括记录有多个程序模块的非暂时性机器可读介质，所述程序模块包含指令，所述指令在被处理器读取时使处理器：
12.根据权利要求1所述的流动控制装置，其中，所述流动开关是第一流动开关，并且还包括第二流动开关，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·霍尔布鲁克，M·费斯勒，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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