LED模块、其制造方法以及LED显示设备技术

提供一种制造LED模块的方法、一种LED模块和一种显示设备。所述方法包括：在生长衬底上形成第一导电类型的半导体基底层；在第一导电类型的半导体基底层上形成具有第一开口至第三开口的掩模图案，其中，第一开口至第三开口具有不同宽度并且以相同间距排列；分别在第一开口至第三开口中同时形成第一发光层叠件至第三发光层叠件；从第一导电类型的半导体基底层去除掩模图案；以及去除第一发光层叠件至第三发光层叠件中的每一个的边缘区，其中，第一发光层叠件至第三发光层叠件分别包括被配置为发射不同波长的光的第一有源层至第三有源层。

【技术实现步骤摘要】

示例实施例涉及一种led模块、其制造方法以及led显示设备。

技术介绍

1、半导体发光二极管(led)已用作照明装置和各种电子产品的光源。另外，led已被广泛用作诸如tv、移动电话、pc、笔记本pc和pda的各种显示装置的光源。

2、现有技术的显示装置可主要由包括液晶显示器(lcd)的显示面板和背光构成，但最近，led可用作像素，使得可不需要背光。利用led作为像素的显示设备可小型化，并且与lcd相比，也可实现具有高亮度和优秀光效率的显示设备。

技术实现思路

1、一方面是为了提供一种可通过简单工艺制造的具有高效率的led模块及其制造方法。

2、另一方面是为了提供一种可通过简单工艺制造的具有高效率的显示设备。

3、根据一个或多个示例实施例的一方面，提供了一种方法，该方法包括：在生长衬底上形成第一导电类型的半导体基底层；在第一导电类型的半导体基底层上形成掩模图案，其中，掩模图案包括具有不同宽度的第一开口、第二开口和第三开口，并且第一开口、第二开口和第三开口以相同间距排列；通过在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造LED模块的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一开口具有第一宽度，所述第二开口具有第二宽度，所述第三开口具有第三宽度，并且所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第二宽度大于所述第三宽度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一量子阱层发射波长为440nm至480nm的光，所述第二量子阱层发射波长为510nm至550nm的光，并且所述第三量子阱层发射波长为610nm至650nm的光。

4.根据权利要求1所述的方法，

5.根据权利要求4所述的方法，

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种用于制造led模块的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一开口具有第一宽度，所述第二开口具有第二宽度，所述第三开口具有第三宽度，并且所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第二宽度大于所述第三宽度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一量子阱层发射波长为440nm至480nm的光，所述第二量子阱层发射波长为510nm至550nm的光，并且所述第三量子阱层发射波长为610nm至650nm的光。

4.根据权利要求1所述的方法，

5.根据权利要求4所述的方法，

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一量子阱层具有第一厚度，所述第二量子阱层具有第二厚度，所述第三量子阱层具有第三厚度，并且所述第一厚度大于所述第二厚度，所述第二厚度大于所述第三厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一发光层叠件、所述第二发光层叠件和所述第三发光层叠件包括：在生长所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层之前，分别在所述第一导电类型的半导体基底层的所述区上生长第一导电类型的半导体盖层。

8.根据权利要求1所述的方法，

9.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述边缘区包括：从所述第一发光层叠件、所述第二发光层叠件和所述第三发光层叠件去除具有不同宽度的边缘区，使得所述第一发光层叠件、所述第二发光层叠件和所述第三发光层叠件在去除所述边缘区之后具有相同宽度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发光层叠件、所述第二发光层叠件和所述第三发光层叠件在去除所述边缘区之...

【专利技术属性】
技术研发人员：延智慧，成汉圭，沈成铉，李东建，崔荣进，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：