包括自动聚焦（AF）像素的图像传感器制造技术

一种图像传感器，包括：像素阵列，包括自动聚焦(AF)像素和AF邻近像素，AF邻近像素与AF像素邻近并且被配置为与AF像素共享浮动扩散区；以及行驱动器，被配置为控制像素阵列，其中，包括在AF像素中的光电二极管的第一端连接到第一传输晶体管，并且包括在AF像素中的光电二极管的第二端通过第一信号线连接到地，以及其中，包括在AF邻近像素中的光电二极管的第一端连接到第二传输晶体管，并且包括在AF邻近像素中的光电二极管的第二端通过第二信号线连接到行驱动器。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及图像传感器，并且更具体地，涉及包括自动聚焦(af)像素的图像传感器。

技术介绍

1、互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器是使用cmos工艺制造的图像捕获设备。电荷耦合器件(ccd)图像传感器是基于mos技术的图像捕获设备。cmos图像传感器比包括高压模拟电路的ccd图像传感器具有更低的制造成本和更小的像素尺寸。因此，cmos图像传感器比ccd图像传感器具有更低的功耗。此外，随着cmos图像传感器性能改进，cmos图像传感器在诸如智能电话、平板个人计算机(pc)和数码相机的移动电子设备中看到增多的使用。

2、诸如相机的数字图像捕获设备提供自动聚焦(af)功能。为了实现af功能，需要拍摄镜头的焦点调整状态的检测。当用于焦点检测的设备与图像传感器一起被包括在数字图像捕获设备中时，数字图像捕获设备的成本和尺寸可能会增加。因此，正在研究能够执行图像捕获功能和af功能两者的af图像传感器。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种用于提供准确的自动聚焦(af)功能的图像传感器。

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【技术保护点】

1.一种图像传感器，包括：

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述行驱动器通过第二信号线向包括在所述AF邻近像素中的所述光电二极管提供高电平电压。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其中，从包括在所述AF邻近像素中的所述光电二极管产生的电荷朝向所述行驱动器被排出。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素阵列包括：

5.如权利要求4所述的图像传感器，其中，所述多个AF像素组中的所述至少一个还包括：

6.如权利要求5所述的图像传感器，其中，在通过第二信号线提供地电平电压时，包括在第一AF邻近像素中的第一传输晶体管、包...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，包括：

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述行驱动器通过第二信号线向包括在所述af邻近像素中的所述光电二极管提供高电平电压。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其中，从包括在所述af邻近像素中的所述光电二极管产生的电荷朝向所述行驱动器被排出。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素阵列包括：

5.如权利要求4所述的图像传感器，其中，所述多个af像素组中的所述至少一个还包括：

6.如权利要求5所述的图像传感器，其中，在通过第二信号线提供地电平电压时，包括在第一af邻近像素中的第一传输晶体管、包括在第二af邻近像素中的第二传输晶体管、包括在第三af邻近像素中的第三传输晶体管和包括在所述af像素中的第四传输晶体管顺序地接通。

7.如权利要求5所述的图像传感器，其中，在通过第二信号线提供高电平电压时，包括在第一af邻近像素中的第一传输晶体管、包括在第二af邻近像素中的第二传输晶体管、包括在第三af邻近像素中的第三传输晶体管和包括在所述af像素中的第四传输晶体管同时接通。

8.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素阵列包括多个af像素组，

9.如权利要求8所述的图像传感器，其中，在通过第二信号线提供地电平电压时，包括在所述af像素中的第一传输晶体管和包括在所述af邻近像素中的第二传输晶体管顺序地接通。

10.如权利要求8所述的图像传感器，其中，在通过第二信号线提供高电平电压时，包括在所述af像素中的第一传输晶体管和包括在所述af邻近像素中的第二传输晶体管同时接通。

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【专利技术属性】
技术研发人员：沈殷燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：