【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储器装置和用于操作存储器装置的方法。
技术介绍
1、存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置在电源中断时删除存储的数据，而非易失性存储器装置即使在没有电源的情况下也保持存储的数据。易失性存储器装置的示例包括ram(随机存取存储器)、sram(静态ram)、dram(动态ram)和sdram(同步dram)，并且非易失性存储器装置的示例包括rom(只读存储器)、prom(可编程rom)、eprom(电可编程rom)、eeprom(电可擦除可编程rom)、闪存装置、pram(相变ram)、mram(磁性ram)、rram(电阻式ram)和fram(铁电ram)。
技术实现思路
1、待解决的目的是提供用于提高非易失性存储器的存储效率、寿命和可靠性的存储器装置和相关联的方法。
2、本公开的一些实施方式提供一种存储器装置，所述存储器装置包括：非易失性存储器；以及存储器控制器，被配置为将从主机接收的数据写入非易失性存储器，其中，存储器控制器被配置为：从主机接收与所述数据相关联的第一数据完整性字段(dif)信息，第一dif信息包括基于所述数据生成的循环冗余校验(crc)信息；基于第一dif信息生成具有与第一dif信息的结构不同的结构的第二dif信息；并且将第二dif信息写入非易失性存储器。
3、本公开的另一实施方式提供一种存储器装置，所述存储器装置包括：非易失性存储器；以及存储器控制器，被配置为：从主机接收与待写入非易失性存储
4、本公开的另一实施方式提供一种用于操作存储器装置的方法，所述方法包括：从主机接收与待写入非易失性存储器的数据对应的第一数据完整性字段(dif)信息；基于第一dif信息生成具有与第一dif信息的结构不同的结构的第二dif信息；以及将第二dif信息写入非易失性存储器。
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1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一DIF信息包括保护标签、应用标签和参考标签，并且
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第二DIF信息不包括CRC信息。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第二DIF信息比第一DIF信息具有更小的存储大小。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为：丢弃第一DIF信息。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为响应于来自主机的读取请求：
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为：
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，集成的CRC信息在存储器控制器与非易失性存储器之间被发送，但不被发送到主机。
9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述数据包括第一子数据和第二子数据，并且
10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述数据包括多个子数据，
11.根据权利要求10
12.根据权利要求7所述的存储器装置，其中
13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中
14.一种存储器装置，包括：
15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为：
16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为：丢弃第一DIF信息。
17.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为：
18.一种用于操作存储器装置的方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，第一DIF信息包括保护标签、应用标签和参考标签，并且
20.根据权利要求18或19所述的方法，其中，第一DIF信息包括循环冗余校验CRC信息，并且
21.根据权利要求18或19所述的方法，还包括：
22.根据权利要求18或19所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一dif信息包括保护标签、应用标签和参考标签，并且
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第二dif信息不包括crc信息。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第二dif信息比第一dif信息具有更小的存储大小。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为：丢弃第一dif信息。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为响应于来自主机的读取请求：
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为：
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，集成的crc信息在存储器控制器与非易失性存储器之间被发送，但不被发送到主机。
9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述数据包括第一子数据和第二子数据，并且
10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述...
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