【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有多个开关元件的半导体器件。
技术介绍
1、已知一种由mosfet等的多个开关元件电接合而构成的半导体器件。该半导体器件具有合成树脂制的壳体和支承于该壳体的配线板。多个开关元件与配线板电接合。在由壳体和配线板包围的区域中填充有由硅凝胶等构成的密封树脂。多个开关元件被密封树脂覆盖。
2、近年来，在赤道附近的热带气候的地区中，额定电压比较高的半导体器件的需求正在变高。热带地方的放置这样的半导体器件的环境是高温高湿的环境。为了在这样的环境下使半导体器件能够发挥更稳定的性能，要求能够在h3trb(high humidity hightemperature reverse bias test：高温高湿反向偏置)测试中合格。所谓h3trb测试，是在高温高湿(温度85℃，湿度85％)的条件下测量以额定电压的80％的直流电压驱动半导体器件的情况下的、该半导体器件的驱动所达到的耐性时间(单位：h)的测试。h3trb测试中半导体器件的驱动达到的耐性时间为1000h以上是合格的。在该测试中合格的半导体器件在高温高湿下能够期待发挥更稳定的性能。
3、专利技术人确认了将该半导体器件作为对象进行了h3trb测试的结果是，该半导体器件的驱动达到的装置耐性时间不足1000h的可能性较高。由于当水分浸入到放置在高温高湿下的该半导体器件的密封树脂中时，密封树脂的绝缘耐压会降低，因而存在多个开关元件中产生漏电流的情况。漏电流到达配线板时，多个开关元件的至少任意个被破坏，因此导致装置耐性时间变短。存在半导体器件所要求的额定电压变
技术实现思路
1、本专利技术鉴于上述的情况而完成，其所要解决的问题是提供一种在高温高湿下能够发挥稳定的性能的半导体器件。
2、本专利技术提供一种半导体器件。所述半导体器件具有基片、搭载层、多个开关元件、耐湿层和密封树脂。所述基片具有朝向厚度方向的主面。所述搭载层具有导电性且配置在所述主面。多个所述开关元件分别具有朝向所述厚度方向上的所述主面所朝向的一侧的元件主面、朝向与所述元件主面相反的一侧的背面和与所述元件主面和所述背面这两者相连的侧面。多个所述开关元件以所述背面与所述主面相对的状态与所述搭载层电接合。所述耐湿层覆盖至少任一个所述侧面。所述密封树脂覆盖多个开关元件和所述耐湿层这两者。所述耐湿层以在所述厚度方向上跨所述搭载层与所述侧面之间的方式与所述搭载层和所述侧面这两者接触。
3、本专利技术的其它特征和优点通过基于附图在以下进行的详细说明能够明确。
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...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：林健二，须崎哲广，松尾昌明，渡边龙太，池永诚，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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