System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 高厚径比PCB制作方法及PCB技术_技高网

高厚径比PCB制作方法及PCB技术

技术编号:40109983 阅读:6 留言:0更新日期:2024-01-23 19:01
本申请公开了一种高厚径比PCB制作方法及PCB,其中,高厚径比PCB制作方法包括如下步骤:提供覆铜板,在所述覆铜板的覆铜表面贴合PTFE膜,其中,所述覆铜板具有第一待电镀孔和第一通孔,所述第一通孔为高厚径比通孔;对所述第一通孔进行除胶、沉铜及电镀;去除所述PTFE膜,对所述第一待电镀孔进行除胶、沉铜及电镀,并对所述第一通孔进行电镀。本申请实施例中,用PTFE膜保护第一待电镀孔,使得第一待电镀孔在第一通孔除胶时不受攻击;在覆铜板的覆铜表面贴合PTFE膜,避免了第一通孔电镀或闪镀时面铜厚度增加的情况。如此,可以减少减铜干膜、层压减铜、蚀刻退膜及陶瓷磨板等流程,也便于控制面铜铜厚均匀性及线宽均匀性,减少蚀刻开短路等报废。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及pcb(printed circuit board,印制线路板),特别涉及一种高厚径比pcb制作方法及pcb。


技术介绍

1、相关技术中,高厚径比pcb(厚径比>12:1)进行通盲孔电镀时,由于通孔厚径比较大,需要进行通盲孔拆分流程进行电镀,拆分后流程需要进行两次电镀;同时,高厚径比通孔的深镀能力较差(通常<80%),电镀后面铜厚度会非常大(通常>80μm),为了使面铜厚度满足需求,需要增加减铜干膜、层压减铜、蚀刻退膜及陶瓷磨板等流程。此外,常规流程容易造成表面铜厚极差大(通常极差>20μm),磨板后容易出现露基材、蚀刻后线路均匀性差、甚至开短路报废等问题。

2、高厚径比pcb(厚径比>12:1)进行选择性塞孔时,由于塞孔与不塞孔距离较近,塞孔间距较小,采用干膜法选择性塞孔会出现不塞孔入油及干膜脱落问题,因此需要拆分流程进行塞孔。塞孔后需进行陶瓷磨板,且拆分后流程需要进行两次电镀。高厚径比通孔的深镀能力较差(通常<80%),电镀后面铜厚度会非常大(通常>80μm),为了使面铜厚度满足使用要求,电镀后需要增加减铜干膜、层压减铜、蚀刻退膜及陶瓷磨板流程。此外,常规流程还会造成表面铜厚极差大(通常极差>20μm),磨板后容易出现露基材、蚀刻后线路均匀性、差甚至开短路报废等问题。

3、高厚径比pcb(厚径比>12:1)进行小孔及大孔或槽孔电镀时,由于大孔或槽孔厚径比较小,同时除胶时容易出现除胶过度的问题。因此,高厚径比pcb进行小孔及大孔或槽孔电镀时,通常需要进行拆分电镀流程进行两次电镀。由于高厚径比小孔的深镀能力较差(通常<80%),电镀后面铜厚度会非常大(通常>80μm),为了使面铜厚度满足使用要求,小孔电镀后需要增加减铜干膜、层压减铜、蚀刻退膜及陶瓷磨板等流程。此外,常规流程还会造成表面铜厚极差大(通常极差>20μm),磨板后出现露基材、蚀刻后线路均匀性差、甚至开短路报废等问题。


技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种高厚径比pcb制作方法及pcb,能够减少电镀流程,同时有效减少电镀过程中面铜厚度的增加量。

2、根据本申请一方面实施例的高厚径比pcb制作方法,包括如下步骤:

3、提供覆铜板,在所述覆铜板的覆铜表面贴合ptfe膜,其中,所述覆铜板具有第一待电镀孔和第一通孔,所述第一通孔为高厚径比通孔;

4、对所述第一通孔进行除胶、沉铜及电镀;

5、去除所述ptfe膜,对所述第一待电镀孔进行除胶、沉铜及电镀,并对所述第一通孔进行电镀。

6、本申请实施例的高厚径比pcb制作方法,至少具有如下有益效果:ptfe膜具有耐酸碱、耐等离子体与化学除胶、抗沉铜与电镀的作用,且ptfe膜还具有缓冲保护作用;用ptfe膜保护第一待电镀孔,使得第一待电镀孔的孔壁在第一通孔除胶时不受攻击;同时,在覆铜板的覆铜表面贴合ptfe膜,在第一通孔电镀时,镀层无法在覆铜表面附着,避免了第一通孔电镀时面铜厚度增加的情况。如此,可以减少减铜干膜、层压减铜、蚀刻退膜及陶瓷磨板等流程,也便于控制面铜铜厚均匀性及线宽均匀性,减少蚀刻开短路等报废;此外,第一通孔电镀后形成孔铜,可以使第一通孔孔壁在第一待电镀孔除胶时不被药水攻击。

7、进一步地,所述第一待电镀孔包括普通盲孔、深微盲孔或者普通盲孔与深微盲孔的组合结构,所述第一待电镀孔采用激光钻孔的方式加工;或者,所述第一待电镀孔为槽孔或大孔。

8、进一步地,在所述覆铜板的覆铜表面贴合所述ptfe膜后,直接在所述ptfe膜进行机械钻孔,以加工出所述第一通孔。

9、本申请另一方面实施例的高厚径比pcb制作方法,包括如下步骤:

10、提供覆铜板,所述覆铜板具有不塞孔通孔和塞孔通孔;在所述覆铜板的覆铜表面贴合ptfe膜;在所述ptfe膜对应所述塞孔通孔的位置进行开窗,对所述塞孔通孔进行除胶、电镀及树脂塞孔;去除所述ptfe膜,对所述不塞孔通孔进行除胶、沉铜及电镀,以获得目标pcb;或者,

11、提供覆铜板,所述覆铜板具有第二待电镀孔和第三待电镀孔,所述第二待电镀孔的孔径小于所述第三待电镀孔的孔径;在所述覆铜板的覆铜表面贴合ptfe膜;在所述ptfe膜对应所述第二待电镀孔的位置进行开窗,对所述第二待电镀孔进行除胶及电镀;去除所述ptfe膜,对所述第三待电镀孔进行除胶、沉铜及电镀,并对所述第二待电镀孔进行电镀,以获得目标pcb。

12、进一步地,所述不塞孔通孔和所述塞孔通孔一次性加工完毕;或者,所述第二待电镀孔和所述第三待电镀孔一次性加工完毕。

13、进一步地,所述第三待电镀孔为槽孔或大孔。

14、进一步地,开窗时,采用激光烧蚀方式对ptfe膜进行开窗。

15、进一步地,对ptfe膜进行开窗时,开窗区域的尺寸小于对应位置的孔的孔径。

16、进一步地,去除所述ptfe膜时,采用人工手动撕膜或者采用剥膜机进行剥膜。

17、进一步地,除胶时,采用等离子除胶或化学除胶。

18、本申请又一方面实施例的pcb,采用如前所述的高厚径比pcb制作方法制成。

19、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高厚径比PCB制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的高厚径比PCB制作方法,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的高厚径比PCB制作方法,其特征在于,在所述覆铜板的覆铜表面贴合所述PTFE膜后,直接在所述PTFE膜上对所述覆铜板进行机械钻孔,以加工出所述第一通孔。

4.一种高厚径比PCB制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

5.根据权利要求4所述的高厚径比PCB制作方法,其特征在于,所述不塞孔通孔和所述塞孔通孔一次性加工完毕;或者,所述第二待电镀孔和所述第三待电镀孔一次性加工完毕。

6.根据权利要求4所述的高厚径比PCB制作方法,其特征在于,开窗时,采用激光烧蚀方式对PTFE膜进行开窗。

7.根据权利要求4或6所述的高厚径比PCB制作方法,其特征在于,对PTFE膜进行开窗时,开窗区域的尺寸小于对应位置的孔的孔径。

8.根据权利要求4所述的高厚径比PCB制作方法,其特征在于,去除所述PTFE膜时,采用人工手动撕膜或者采用剥膜机进行剥膜。

9.根据权利要求4所述的高厚径比PCB制作方法,其特征在于,除胶时,采用等离子除胶或化学除胶。

10.一种PCB,其特征在于,采用如权利要求1至3任一项所述的高厚径比PCB制作方法制成;或者,采用如权利要求4至9任一项所述的高厚径比PCB制作方法制成。

...

【技术特征摘要】

1.一种高厚径比pcb制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的高厚径比pcb制作方法,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的高厚径比pcb制作方法,其特征在于,在所述覆铜板的覆铜表面贴合所述ptfe膜后,直接在所述ptfe膜上对所述覆铜板进行机械钻孔,以加工出所述第一通孔。

4.一种高厚径比pcb制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

5.根据权利要求4所述的高厚径比pcb制作方法,其特征在于,所述不塞孔通孔和所述塞孔通孔一次性加工完毕;或者,所述第二待电镀孔和所述第三待电镀孔一次性加工完毕。

6.根据权利要求4所述的高厚径比pcb制...

【专利技术属性】
技术研发人员:邹佳祁唐海波杨云
申请(专利权)人:生益电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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