【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种赝配高电子迁移率晶体管及其制备方法。
技术介绍
1、高电子迁移率晶体管(hemt)器件具有迄今为止的最高单位电流增益截止频率和最低噪声系数。phemt是对高电子迁移率晶体管（hemt）的一种改进结构，也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（pmodfet）。砷化镓phemt 已经成为高频和微波电子器件中的一种主要材料。
2、现有技术当中，砷化镓phemt的制造过程中，晶圆片浸泡举离(lift off)不净会影响器件的性能和可靠性。尤其是在前段连续金属蒸镀制程后，因前道工艺浸泡举离不净会影响后道工艺外观异常，进而导致举离不净的问题更加严重。因此，需要一种方法来改善砷化镓phemt 制造过程中浸泡举离(metal lift off)不净的问题。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种赝配高电子迁移率晶体管及其制备方法，以至少解决上述现有技术当中的不足。
2、第一方面，本专利技术一种赝配高电子迁移率晶体管制备方法，所述方法包括：
3、提供一晶圆片，并定义源极以及漏极的形状；
4、将第一金属蒸镀到所述晶圆片上，并采用举离方式去除所述晶圆片上的第一预设部分的第一金属，以使余下的第一金属的形状分别成为所述源极、所述漏极，得到第一半成品赝配高电子迁移率晶体管；
5、定义所述第一半成品赝配高电子迁移率晶体管的形状；
6、定义闸极的形状，将第二金属蒸镀到所述晶圆片上，并去除第二预设部分
7、依次在所述第二半成品赝配高电子迁移率晶体管上制备金属接触窗、薄层电阻、金属连接线以及保护层，得到第三半成品赝配高电子迁移率晶体管；
8、对所述第三半成品赝配高电子迁移率晶体管进行处理，得到成品赝配高电子迁移率晶体管。
9、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：在第一金属蒸镀到晶圆片之后，采用举离方式取出晶圆片上的第一预设部分的第一金属，并使得余下的第一金属分别成为源极和漏极，从而使得在浸泡举离的过程中，可以有效避免浸泡举离不净的问题。
10、进一步的，所述并定义源极以及漏极的形状的步骤包括：
11、采用第一道黄光制程定义所述源极以及所述漏极的形状。
12、进一步的，所述并采用举离方式去除所述晶圆片上的第一预设部分的第一金属的步骤包括：
13、采用第一道蓝膜举离的方式去除所述晶圆片上的第一预设部分的第一金属；
14、采用第一道浸泡举离的方式去除所述晶圆片上的光阻。
15、进一步的，所述定义所述第一半成品赝配高电子迁移率晶体管的形状的步骤包括：
16、以第二道黄光制程定义所述第一半成品赝配高电子迁移率晶体管的形状；
17、采用离子植入方式往所述第一半成品赝配高电子迁移率晶体管内植入ar原子；
18、以第三道黄光制程及湿蚀刻定义出所述第一半成品赝配高电子迁移率晶体管的低阻值接触层区域，并将所述低阻值接触层移除。
19、进一步的，所述定义闸极的形状，将第二金属蒸镀到所述晶圆片上，并去除第二预设部分的第二金属的步骤包括：
20、以第三道黄光制程定义所述闸极的形状；
21、将所述第二金属蒸镀到所述晶圆片上；
22、采用第二道蓝膜举离的方式去除第二预设部分的第二金属，并采用第二道浸泡举离的方式去除所述晶圆片上的光阻。
23、进一步的，所述得到第二半成品赝配高电子迁移率晶体管的步骤之后，所述方法还包括：
24、将第一氮化硅沉积在所述第二半成品赝配高电子迁移率晶体管中的晶圆片上，以使所述第一氮化硅为电容绝缘层。
25、进一步的，所述依次在所述第二半成品赝配高电子迁移率晶体管上制备金属接触窗、薄层电阻、金属连接线以及保护层的步骤包括：
26、以第四道黄光制程以及干蚀刻的方式定义所述第二半成品赝配高电子迁移率晶体管上的金属接触窗的形状；
27、以第五道黄光制程定义薄层电阻的形状，并将氮化钽蒸镀到所述第二半成品赝配高电子迁移率晶体管中的晶圆片上；
28、采用第三道蓝膜举离的方式去除所述晶圆片上的第三预设部分的氮化钽，并采用第三道浸泡举离的方式去除所述晶圆片上的光阻；
29、以第六道黄光制程定义金属连接线的形状，并将第三金属蒸镀到所述第二半成品赝配高电子迁移率晶体管中的晶圆片上，所述第三金属为钛、铂或金中的一种或多种组成；
30、采用第四道蓝膜举离的方式去除所述晶圆片上的第四预设部分的第三金属，并采用第四道浸泡举离的方式去除所述晶圆片上的光阻；
31、在所述第二半成品赝配高电子迁移率晶体管沉积一层第二氮化硅，以使所述第二氮化硅为保护层。
32、进一步的，所述对所述第三半成品赝配高电子迁移率晶体管进行处理的步骤包括：
33、将所述第三半成品赝配高电子迁移率晶体管中的晶圆片与基板贴合，并进行研磨减薄；
34、卸除所述第三半成品赝配高电子迁移率晶体管中的晶圆片上的基板。
35、进一步的，所述第一金属与所述第二金属均为金、锗或镍中的一种或多种组成。
36、第二方面，本专利技术还提供一种赝配高电子迁移率晶体管，所述赝配高电子迁移率晶体管根据第一方面所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法制备得到。
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1.一种赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述并定义源极以及漏极的形状的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述并采用举离方式去除所述晶圆片上的第一预设部分的第一金属的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述定义所述第一半成品赝配高电子迁移率晶体管的形状的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述定义闸极的形状，将第二金属蒸镀到所述晶圆片上，并去除第二预设部分的第二金属的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述得到第二半成品赝配高电子迁移率晶体管的步骤之后，所述方法还包括：
7.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述依次在所述第二半成品赝配高电子迁移率晶体管上制备金属接触窗、薄层电阻、金属连接线以及保护层的步骤包括：
8.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述对所述第三半成品赝配高电子迁移率晶体管进行处理的步骤包括：
9.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述第一金属与所述第二金属均为金、锗或镍中的一种或多种组成。
10.一种赝配高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述赝配高电子迁移率晶体管根据权利要求1~9任一项所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述并定义源极以及漏极的形状的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述并采用举离方式去除所述晶圆片上的第一预设部分的第一金属的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述定义所述第一半成品赝配高电子迁移率晶体管的形状的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述定义闸极的形状，将第二金属蒸镀到所述晶圆片上，并去除第二预设部分的第二金属的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的赝配高电子迁移率晶体管制...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯汉成，宋嘉铭，刘坤明，茆同海，
申请(专利权)人：华通芯电南昌电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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