【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅生长，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置。
技术介绍
1、碳化硅是继第一代半导体si、第二代半导体gaas之后发展起来的重要的第三代半导体材料，它具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱、高抗辐射能力及良好的化学稳定性等的优越特性，因其本身具有的特性，第三代半导体技术应用将在节能减排、信息技术、国防科技三大领域催生上万亿元潜在市场，近年来迅速渗透到照明、电子电力器件、微波射频等领域的各个角落，市场规模快速提升，在新能源汽车、汽车灯照、通用照明、电动车、5g通讯应用等领域有着广泛的应用市场，将成为未来新能源发展的方向之一。
2、目前碳化硅单晶生长以物理气相沉积法(pvt)为主要生长方式，已经被证明是生长sic晶体最成熟的方法。将sic粉料加热到2200～2500℃，在一定保护气氛下，使其升华到冷端籽晶上，结晶成为块状晶体。
3、根据pvt法碳化硅单晶生长规律，常规的坩埚设计在生长一段时间后，原料区的料会发生变化，原料由于坩埚为发热源，靠近坩埚侧壁与坩埚底的位置优先失硅，形成碳化层，此碳化层...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述外坩埚(110)的底部设置有容置槽(111)，所述支撑体(130)设置在所述容置槽(111)内，所述容置槽(111)的槽口周缘设置有多个导向斜块(113)，多个所述导向斜块(113)与多个所述第二部件(171)一一对应设置，其中，所述第二部件(171)的第二端搭设在对应的所述导向斜块(113)的斜面上；所述第二部件(171)的第二端被配置为，在对应的所述导向斜块(113)的斜面的抵持作用下，推动对应的所述第一部件(172)朝向所述内坩埚(150)的中
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述外坩埚(110)的底部设置有容置槽(111)，所述支撑体(130)设置在所述容置槽(111)内，所述容置槽(111)的槽口周缘设置有多个导向斜块(113)，多个所述导向斜块(113)与多个所述第二部件(171)一一对应设置，其中，所述第二部件(171)的第二端搭设在对应的所述导向斜块(113)的斜面上；所述第二部件(171)的第二端被配置为，在对应的所述导向斜块(113)的斜面的抵持作用下，推动对应的所述第一部件(172)朝向所述内坩埚(150)的中心靠拢。
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，多个所述导向斜块(113)沿所述容置槽(111)的周向方向依次设置；在所述容置槽(111)的周向方向上相邻的任意两个所述导向斜块(113)间隔设置；或者，在所述容置槽(111)的周向方向上相邻的任意两个所述导向斜块(113)无间隔设置，多个所述导向斜块(113)一体成型。
4.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述内坩埚(150)的周壁设置有多个传动开孔(151)，多个所述传动开孔(151)与多个所述第二部件(171)一一对应设置，其中，所述第二部件(171)的第二端通过对应的所述传动开孔(151)伸出所述内坩埚(150)。
5.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述第二部件(171)的第二端设置有配合斜面(173)，所述配合斜面(173)与对应的所述导向斜块(113)的斜面相贴合。
6.根据权利要求5所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述导向斜块(113)的斜面与所述内坩埚(150)的径向平面之间的夹角在60°-70°之间。
7.根据权利要求5所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述导向斜块(113)的斜面和所述配合斜面(173)的表面粗糙度均小于10μm。
8.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述移动部件(170)还包括设置于所述内坩埚(150)底部的多个挡板(174)，多个所述挡板(174)一一对应地贴设在多个所述第一部件(172)的靠近所述内坩埚的中心的内侧，且任意相邻的两个所述挡板(174)相互抵接，多个所述挡板(174)与所述内坩埚(150)的底壁共同围合形成用于容纳生长原料的容纳腔(190)；
9.根据权利要求8所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述容纳腔(190)在所述外坩埚(110)的底壁上的正投影为多边形。
10.根据权利要求8所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述内坩埚(150)的周壁还设置有多个容纳孔(152)，所述挡板(174)在所述内坩埚(150)的轴线方向上的高度大于或等于对应的所述第一部件(172)在所述内坩埚...
【专利技术属性】
技术研发人员：王旻峰，张洁，高玉强，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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