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本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生长技术领域，该碳化硅晶体生长装置，包括外坩埚、支撑体、内坩埚和多个移动部件，在实际长晶时，随着长晶过程的进行，在高温和原料产生的气体的共同作用下，支撑体会发生改性而软化，此时内坩埚在自身重力的...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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