一种减少单晶晶孔的化料工艺制造技术

本发明专利技术提供一种减少单晶晶孔的化料工艺，包括以下步骤：将石英坩埚降至第一化料位，进行第一阶段化料；将所述石英坩埚升至第二化料位，进行第二阶段化料；将所述石英坩埚升至第三化料位，进行第三阶段化料；将所述石英坩埚升至最终化料位，进行第四阶段化料；在所述第一阶段化料、第二阶段化料、第三阶段化料和第四阶段化料中产生的气泡挥发排出单晶炉。本发明专利技术的有益效果是有效避免了气泡进入单晶，减少了单晶晶孔的数量，提高了单晶的成晶质量和使用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于单晶生产，尤其是涉及一种减少单晶晶孔的化料工艺。

技术介绍

1、单晶炉化料时，由于石英坩埚内壁附着气泡，在化料过程中，气泡进入硅液中，在拉制单晶时，气泡很容易进入单晶，在单晶内部形成晶孔，导致位错，影响单晶的成晶质量，降低单晶的使用性能。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种减少单晶晶孔的化料工艺，有效解决了气泡进入单晶在单晶内部形成晶孔的问题，克服了现有技术的不足。

2、本专利技术采用的技术方案是：一种减少单晶晶孔的化料工艺，包括以下步骤：

3、将石英坩埚降至第一化料位，进行第一阶段化料；

4、将所述石英坩埚升至第二化料位，进行第二阶段化料；

5、将所述石英坩埚升至第三化料位，进行第三阶段化料；

6、将所述石英坩埚升至最终化料位，进行第四阶段化料；

7、其中，在所述第一阶段化料、第二阶段化料、第三阶段化料和第四阶段化料中产生的气泡挥发排出单晶炉。

8、进一步，在所述第一阶段化料结束后，已熔硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于：在所述第一阶段化料结束后，已熔硅料量为硅料总量的1/3-1/2。

3.根据权利要求2所述的一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于：在所述第二阶段化料结束后，已熔硅料量为硅料总量的1/2-2/3。

4.根据权利要求3所述的一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于：在所述第三阶段化料结束后，硅料全部熔化。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于：在所述第一阶段化料中，导流筒放置在保温筒上，所述...

【技术特征摘要】

1.一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于：在所述第一阶段化料结束后，已熔硅料量为硅料总量的1/3-1/2。

3.根据权利要求2所述的一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于：在所述第二阶段化料结束后，已熔硅料量为硅料总量的1/2-2/3。

4.根据权利要求3所述的一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于：在所述第三阶段化料结束后，硅料全部熔化。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于：在所述第一阶段化料中，导流筒放置在保温筒上，所述第一化料位比石英坩埚零位低0-100mm，所述石英坩埚上边缘与加热器顶部齐平为所述石英坩埚零位。

6.根据权利要求5所述的一种减少单晶晶孔的化料工艺，其特征在于：在所述第一阶段化料、第二阶段化料和第三化...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，贾海洋，周宏邦，王淼，张强，娄中士，王立刚，孔凯斌，侯明超，张庆虎，李浩东，张凯鑫，吕惠芸，霍志强，
申请(专利权)人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：