【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种采用异常料进行单晶硅拉制的方法。
技术介绍
1、单晶硅拉制过程中的异常料指的是锅底料和品质较差的晶棒。锅底料指的是单晶硅拉制收尾停炉后埚底余料。异常料拉制得到的晶棒的电阻率非常低，不符合客户的品质要求。现有技术中，如果炉台中加入异常料，会造成炉台停机，严重增大成本。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种采用异常料进行单晶硅拉制的方法，包括：
2、确定异常料的总质量、采用异常料初次拉制单晶硅所得晶棒头部电阻率、第二导电类型的掺杂物与硅形成的合金的电阻率，其中，所述异常料为第一导电类型的半导体原料，采用异常料初次拉制单晶硅所得晶棒头部电阻率小于或等于目标电阻率下限值；
3、根据异常料的总质量、采用异常料初次拉制单晶硅所得晶棒头部电阻率、第二导电类型的掺杂物与硅形成的合金的电阻率确定所述合金的目标质量；
4、采用异常料初次拉制单晶硅所得晶棒、初次拉制后剩余异常料以及所述目标质量的合金再次进行单晶硅拉制，以使所得晶棒头部电阻率增大，其中，异常料...
【技术保护点】
1.一种采用异常料进行单晶硅拉制的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，再次进行单晶硅拉制时，所得晶棒头部电阻率为目标电阻率上限值。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述合金的目标质量按照如下方式确定：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一导电类型的掺杂物为P型，第二导电类型的掺杂物为N型；或者，第一导电类型的掺杂物为N型，第二导电类型的掺杂物为P型。
【技术特征摘要】
1.一种采用异常料进行单晶硅拉制的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，再次进行单晶硅拉制时，所得晶棒头部电阻率为目标电阻率上限值。
3.根据权利要求1所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈国良，刘利国，李海明，刘玉斌，
申请(专利权)人：双良硅材料包头有限公司，
类型：发明
国别省市：
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