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本发明公开了一种采用异常料进行单晶硅拉制的方法，包括：根据异常料的总质量、采用异常料初次拉制单晶硅所得晶棒头部电阻率、第二导电类型的掺杂物与硅形成的合金的电阻率确定所述合金的目标质量；采用异常料初次拉制单晶硅所得晶棒、初次拉制后剩余异常料以...
该专利属于双良硅材料（包头）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过双良硅材料（包头）有限公司授权不得商用。

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