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本发明提供一种减少单晶晶孔的化料工艺,包括以下步骤:将石英坩埚降至第一化料位,进行第一阶段化料;将所述石英坩埚升至第二化料位,进行第二阶段化料;将所述石英坩埚升至第三化料位,进行第三阶段化料;将所述石英坩埚升至最终化料位,进行第四阶段化料;...该专利属于内蒙古中环领先半导体材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过内蒙古中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种减少单晶晶孔的化料工艺,包括以下步骤:将石英坩埚降至第一化料位,进行第一阶段化料;将所述石英坩埚升至第二化料位,进行第二阶段化料;将所述石英坩埚升至第三化料位,进行第三阶段化料;将所述石英坩埚升至最终化料位,进行第四阶段化料;...