监测研磨机台漏光的方法技术

本申请提供一种监测研磨机台漏光的方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，半导体结构中形成有PN结导通回路、第一导电插塞和第二导电插塞；形成金属层；利用研磨机台对半导体结构表面的金属层进行研磨；获取半导体结构表面缺陷图；通过缺陷图监控半导体结构表面是否存在金属析出缺陷和/或凹坑缺陷，若存在金属析出缺陷和/或凹坑缺陷，则诊断研磨机台中的HCLU压感传感器存在漏光故障。本申请通过利用具有PN结导通回路的半导体结构在研磨机台中进行CMP工艺，实现了研磨机台漏光的准确监控，避免了宏观检测方法造成的误检或者漏检的情况，提高了监控效率和监控精确度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种监测研磨机台漏光的方法。

技术介绍

1、现有金属cmp(化学机械研磨)机台的offline(离线)监控中，使用的是晶圆裸片和teos膜层堆叠的半导体结构来监控晶圆以及机台是否存在异常，但是这种监控方式缺乏对机台内hclu压感传感器的光源的监控，若hclu压感传感器存在漏光故障的话，容易造成局部金属层连接异常，影响产品良率，所以对机台内hclu压感传感器的光源的监控至关重要。目前一些研发人员会采用红外、目检等宏观检测方法检测机台内是否存在漏光故障，但是上述宏观检测方法并不能准确反应机台内漏光现象，容易出现误检或者漏检。

技术实现思路

1、本申请提供了一种监测研磨机台漏光的方法，可以解决研磨机台hclu压感传感器的漏光故障无法准确监控的问题。

2、本申请提供了一种监测研磨机台漏光的方法，包括：

3、提供一衬底；

4、在所述衬底上形成半导体结构，所述半导体结构中形成有pn结导通回路、与所述pn结导通回路一端相连的第一导电插塞、与所述pn结导通回路本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种监测研磨机台漏光的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的监测研磨机台漏光的方法，其特征在于，所述半导体结构包括：存储区和与所述存储区相邻的外围逻辑区，其中，

3.根据权利要求2所述的监测研磨机台漏光的方法，其特征在于，所述第一重掺杂区中掺杂离子的导电类型为N型，所述第二重掺杂区中掺杂离子的导电类型为P型。

4.根据权利要求3所述的监测研磨机台漏光的方法，其特征在于，所述第一阱区中掺杂离子的导电类型为P型，所述第二阱区中掺杂离子的导电类型为N型。

5.根据权利要求4所述的监测研磨机台漏光的方法，其特征在于，所述第一重掺杂区...

【技术特征摘要】

1.一种监测研磨机台漏光的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的监测研磨机台漏光的方法，其特征在于，所述半导体结构包括：存储区和与所述存储区相邻的外围逻辑区，其中，

3.根据权利要求2所述的监测研磨机台漏光的方法，其特征在于，所述第一重掺杂区中掺杂离子的导电类型为n型，所述第二重掺杂区中掺杂离子的导电类型为p型。

4.根据权利要求3所述的监测研磨机台漏光的方法，其特征在于，所述第一阱区中掺杂离子的导电类型为p型，所述第二阱区中掺杂离子的导电类型为n型。...

【专利技术属性】
技术研发人员：文浩然，张方舟，陈苗，米琳，宁威，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：