【技术实现步骤摘要】
本申请涉及，尤其涉及一种晶圆缺陷检测方法、系统、设备及可读介质。
技术介绍
1、在半导体制造领域，缺陷分析是制程中至关重要的步骤，缺陷的存在可能会影响器件的性能和可靠性。因此，对缺陷进行准确的检测和分析对于提高产量和产品质量至关重要。目前，业界已经提出了几种处理缺陷分析的方法，但这些方法在实际应用中仍然存在一些挑战和局限性：
2、die-to-die比较，这是一种常见的方法，它在die级别对前后层晶圆的缺陷进行比较。尽管这种方法的原理简单，但在实际操作中，由于各种因素如晶圆之间的平移、旋转等变化，使得实现准确匹配变得非常具有挑战性。这些变化可能会导致误报或漏报，进而影响缺陷分析的准确性。
3、机器学习方法，近年来，随着人工智能技术的发展，机器学习在许多领域都得到了广泛的应用。在半导体缺陷分析领域，机器学习算法也被用来分析和预测缺陷。这种方法的优势是可以从大量数据中学习模式和规律，从而提高缺陷检测的准确性。然而，它也有其局限性，如需要大量的训练数据来训练模型，这可能会增加计算和存储的成本。此外，模型的泛化能力也可能受到限制，导致在某些新的或未见过的数据上可能无法实现理想的检测效果。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种晶圆缺陷检测方法、系统、设备及可读介质，至少用以使得该方法可以准确而高效地检测和分析缺陷，不存在所述计算效率和准确性方面受限的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请的一些实施例提供了一种晶圆缺陷检测方法，所述方法包括：当考虑缺
3、进一步地，所述构建r-tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系包括：初始化r-tree索引，获取当前晶圆层和前一晶圆层的晶圆点信息，所述晶圆点信息包括晶圆点坐标和缺陷半径；遍历所述晶圆点信息，为每个晶圆点根据所述晶圆点坐标和缺陷半径定义一个包围盒，并将所述包围盒与该点索引插入所述r-tree。
4、进一步地，所述构建r-tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系还包括：根据所述r-tree创建前一晶圆层和当前晶圆层的索引，用于存储前一晶圆层与当前晶圆层之间的关系，得到晶圆点索引列表。
5、进一步地，所述查找增加缺陷和共同缺陷包括：遍历当前晶圆层中每个点，根据所述晶圆点坐标和缺陷半径，查找与其相交的前一晶圆层中点的索引；考虑缺陷半径，当前晶圆点与前一晶圆层某个点的距离小于或等于容忍差值时，将其标记为共同缺陷；否则标记为增加缺陷。
6、进一步地，所述查找缺失缺陷包括：遍历前一晶圆层中每个点，根据所述晶圆点坐标和缺陷半径，查找与其相交的当前晶圆层中点的索引；考虑缺陷半径，当前一晶圆层某个点与当前晶圆层中任何点的距离都大于容忍差值时，将其标记为缺少缺陷。
7、进一步地，所述构建kd-tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系包括：获取每一晶圆层中晶圆点信息，所述晶圆点信息包括晶圆点坐标；根据所述晶圆点信息为前一晶圆层和当前晶圆层构建kd-tree索引。
8、进一步地，所述查找增加缺陷和共同缺陷包括：遍历当前晶圆层中每个晶圆点，查询前一晶圆层中与当前晶圆点在容忍差值内的所有点；当在容忍差值内存在缺陷点，标记当前晶圆点为共同缺陷；当在容忍差值内不存在缺陷点，标记当前晶圆点为增加缺陷；所述查找缺失缺陷包括：遍历前一晶圆层中每个晶圆点，查询当前晶圆层中与前一晶圆层的该晶圆点在容忍差值内的所有点；当在容忍差值内不存在缺陷点，标记该晶圆点为缺失缺陷。
9、本申请的一些实施例还提供了一种晶圆缺陷检测系统，所述系统包括：r-tree缺陷检测模块，所述r-tree缺陷检测模块用于当考虑缺陷半径时，构建r-tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷；遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型；kd-tree缺陷检测模块，所述kd-tree缺陷检测模块用于当不考虑缺陷半径时，构建kd-tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷；遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型。
10、本申请的一些实施例还提供了一种晶圆缺陷检测设备，所述设备包括：一个或多个处理器；以及存储有计算机程序指令的存储器，所述计算机程序指令在被执行时使所述处理器执行如上所述的方法。
11、本申请的一些实施例还提供了一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令可被处理器执行以实现所述的晶圆缺陷检测方法。
12、相较于现有技术，本申请实施例提供的方案中，晶圆缺陷检测方法提供了一种基于kd-tree和r-tree的快速计算方法，用于前后层晶圆的adder缺陷分析。通过结合这两种空间数据结构，本申请能够高效地进行晶圆之间的缺陷比较，无论是否存在微小的几何变化。通过在kd-tree和r-tree之间建立有效的映射和匹配，本方法能够实现准确且高效的adder缺陷计算，从而提高了半导体制造过程中缺陷分析的效率和可靠性。
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1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述构建R-Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系包括：
3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述构建R-Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系还包括：
4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述查找增加缺陷和共同缺陷包括：
5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述查找缺失缺陷包括：
6.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述构建KD-Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系包括：
7.根据权利要求6所述方法，其特征在于，所述查找增加缺陷和共同缺陷包括：
8.一种晶圆缺陷检测系统，其特征在于，所述系统包括：
9.一种晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述设备包括：
10.一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令可被处理器执行以实现如权利要求1-7任意一项所述的方法。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述构建r-tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系包括：
3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述构建r-tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系还包括：
4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述查找增加缺陷和共同缺陷包括：
5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述查找缺失缺陷包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：张强，赵京雷，蒋越，
申请(专利权)人：上海朋熙半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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