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本申请提供了一种晶圆缺陷检测方法、系统、设备及介质，方法包括当考虑缺陷半径时，构建R‑Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷；遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型；当不考虑缺陷半径时，构建KD‑...
该专利属于上海朋熙半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海朋熙半导体有限公司授权不得商用。

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