【技术实现步骤摘要】
本专利技术申请属于半导体封装，尤其涉及一种半导体封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、滤波器根据其实现方式的不同可以分为很多种，比如无源滤波器（又称lc滤波器）、腔体滤波器、声学滤波器、介质滤波器等，而在移动通信领域中，由于移动终端普遍存在尺寸小、功耗低的要求，因此需要使用小体积、高性能的声学滤波器，声学滤波器按照结构不同，又可以分为声表面滤波器（简写为saw）和体表面滤波器（简写为baw），它们的工作原理基本相同，只是声学信号的传播方向存在差异，传统技术中，saw滤波器通常采用倒装工艺连接，再在芯片背面上通过热压的方式压覆一层薄膜，利用薄膜来形成芯片底部的空间结构，抽真空后，芯片的功能区域处于真空环境，之后再通过封装料封装。
2、传统技术中封装的滤波器芯片，由于薄膜的存在，封装料难以将引脚包封，引脚暴露在真空环境中，如附图1所示，有些不使用覆膜工艺的结构，引脚也是暴露在真空环境中，引脚无保护，而且芯片承压主要依靠引脚支撑，芯片功能面引脚是不均匀设置的，引脚是设置在芯片上的凸起，芯片受力不均匀，芯片的整个承压效果差，容易破损。
3、故，设计一种半导体封装结构及其制备方法，来解决上述传统技术问题。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中的问题，本专利技术申请提供了一种半导体封装结构及其制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术申请提出的一种半导体封装结构，包括封装体和基板，所述基板设置在封装体下方，所述封装体内还包封有：
3、芯片，所述
4、支撑墙，所述支撑墙顶部吸附在芯片功能区的表面且下端与基板连接，封装并抽气后形成真空空间，芯片功能区处于真空空间内，芯片引脚包封在封装体中。
5、进一步，所述支撑墙为上下导通的柱形中空结构，且顶部平整光滑。
6、进一步，所述芯片功能区与支撑墙接触的表面平整光滑。
7、进一步，所述支撑墙的一侧开设有过气缝隙，该过气缝隙的间隙小于封装料的颗粒直径。
8、进一步，所述基板上开设有凹槽，所述凹槽与支撑墙在基板表面沿宽度方向上部分重合，且凹槽不超过基板上焊接的引脚位置。
9、一种半导体封装结构的制备方法，包括以下步骤：
10、支撑墙形成步骤：在基板设定的位置形成支撑墙，支撑墙的一侧开设有过气缝隙；
11、贴装步骤：将芯片引脚朝向基板焊接贴装，芯片功能区朝向基板，贴装后芯片功能区的表面吸附在支撑墙顶部，功能区处于支撑墙中；
12、包封步骤：通过支撑墙上的过气缝隙，将支撑墙内部空间抽真空，芯片功能区处于真空空间中，之后使用包封料包封，形成封装体。
13、进一步的，所述支撑墙形成步骤中，支撑墙为上下导通的柱形中空结构，且顶部平整光滑。
14、进一步的，所述支撑墙形成步骤中，过气缝隙的间隙小于封装料的颗粒直径。
15、进一步的，所述贴装步骤中，芯片功能区与支撑墙接触的表面平整光滑。
16、进一步的，所述支撑墙形成步骤中，还包括基板上开设有凹槽，所述凹槽与支撑墙在基板表面沿宽度方向上部分重合，且凹槽不超过基板上焊接的引脚位置。
17、本专利技术申请：使用支撑墙光滑面吸附后抽真空，代替传统的覆膜工艺，工艺简单有效，便于实施，成本大程度降低，更适合于工厂工艺流程，产品的成品率高，通过支撑墙和引脚共同支撑在芯片面，芯片的承压效果好，受压均匀，不容易破损，改变引脚暴露在真空环境的情况，引脚得到塑封料的支撑和保护。
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1.一种半导体封装结构，包括封装体和基板，所述基板设置在封装体下方，其特征在于，所述封装体内还包封有：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述支撑墙为上下导通的柱形中空结构，且顶部平整光滑。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片功能区与支撑墙接触的表面平整光滑。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述支撑墙的一侧开设有过气缝隙，该过气缝隙的间隙小于封装料的颗粒直径。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板上开设有凹槽，所述凹槽与支撑墙在基板表面沿宽度方向上部分重合，且凹槽不超过基板上焊接的引脚位置。
6.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述支撑墙形成步骤中，支撑墙为上下导通的柱形中空结构，且顶部平整光滑。
8.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述支撑墙形成步骤中，过气缝隙的间隙小于封装料的颗粒直径。>
9.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述贴装步骤中，芯片功能区与支撑墙接触的表面平整光滑。
10.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述支撑墙形成步骤中，还包括基板上开设有凹槽，所述凹槽与支撑墙在基板表面沿宽度方向上部分重合，且凹槽不超过基板上焊接的引脚位置。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，包括封装体和基板，所述基板设置在封装体下方，其特征在于，所述封装体内还包封有：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述支撑墙为上下导通的柱形中空结构，且顶部平整光滑。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片功能区与支撑墙接触的表面平整光滑。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述支撑墙的一侧开设有过气缝隙，该过气缝隙的间隙小于封装料的颗粒直径。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板上开设有凹槽，所述凹槽与支撑墙在基板表面沿宽度方向上部分重合，且凹槽不超过基板上焊接的引脚位置。
6.一种半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭小春，
申请(专利权)人：合肥矽迈微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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