【技术实现步骤摘要】
本专利技术申请属于芯片封装，尤其涉及一种芯片并联堆叠封装结构及其封装方法。
技术介绍
1、随着科学技术的不断进步，越来越多的电子设备广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。电子设备实现各种功能的主要部件是芯片，为了保证芯片的可靠性、使用寿命以及避免外部因素损坏，芯片需要进行封装保护。
2、mos芯片全称为金属氧化物-半导体，是一种集成电路中的主要元件，由金属氧化物-半导体场效应晶体管（mosfet）构成，是一种半导体器件，属于场效应管中的绝缘栅型。在电子电路中，mos管通常被用于放大电路或开关电路。
3、现有的mos芯片一般是单独封装之后贴装在pcb板的对应区域，对于需要多个mos芯片组成的电子电路，都是先贴装后，再在pcb板上实现多芯片之间的串联或者并联连接，这样的结构使得pcb板上需要预留较大尺寸的贴装空间和电路布线空间，整体的尺寸较大，不满足封装要求。
技术实现思路
1、为解决上述现有技...
【技术保护点】
1.一种芯片并联堆叠封装结构，包括封装体，所述封装体内部包封有第一芯片和第二芯片，其特征在于，所述第二芯片的功能区正对第一芯片的功能区进行堆叠放置，所述第一芯片的源极、栅极和漏极分别与第二芯片的源极、栅极和漏极电性连接后通过导电柱引出到封装体外侧，构成第一芯片和第二芯片并联堆叠结构，并在外露于封装体底面的的导电柱端部焊接有焊盘。
2.根据权利要求1所述的芯片并联堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均为含有MOS管的芯片。
3.根据权利要求2所述的芯片并联堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均为含有单个MOS管或者集成有多
...【技术特征摘要】
1.一种芯片并联堆叠封装结构，包括封装体，所述封装体内部包封有第一芯片和第二芯片，其特征在于，所述第二芯片的功能区正对第一芯片的功能区进行堆叠放置，所述第一芯片的源极、栅极和漏极分别与第二芯片的源极、栅极和漏极电性连接后通过导电柱引出到封装体外侧，构成第一芯片和第二芯片并联堆叠结构，并在外露于封装体底面的的导电柱端部焊接有焊盘。
2.根据权利要求1所述的芯片并联堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均为含有mos管的芯片。
3.根据权利要求2所述的芯片并联堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均为含有单个mos管或者集成有多个mos管。
4.根据权利要求3所述的芯片并联堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片上的mos管均有源极、栅极和漏极，所述第一芯片和第二芯片功能区堆叠时，各自的源极、栅极和漏极分别相互连接，实现各电极的电性并联。
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：谭小春，
申请(专利权)人：合肥矽迈微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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