【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种信号延迟技术，且特别是有关于一种适用于延迟锁定回路的延迟控制电路、半导体存储装置以及延迟控制方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)为一种半导体存储装置，其借由将电荷储存在电容器中来储存信息。作为一种易失性存储器装置，在没有被供给电源时，dram所储存的信息会遗失。在现有的dram中，例如日本专利特开2015-35241号公报，设有作为相位同步电路的延迟锁定回路(delay locked loop，dll)电路。dram利用延迟锁定回路来产生内部时脉信号，使得数据信号的输出与外部时脉信号同步。
2、在现有的dram中，为利用dll电路进行时脉的延迟调整，执行包括dll电路的重设动作、dll电路的延迟动作(例如使每一根延迟线活化的同时使外部时脉与内部时脉同步动作)，以及用以表示输入时脉信号与内部时脉信号之间的延迟时脉周期数的n值的检测动作。
3、此处，根据dll电路的延迟动作的锁定时间tdll可以由下述的数学式表示。
...【技术保护点】
1.一种延迟控制电路，其特征在于，用以根据输入时脉信号产生作为输出时脉信号的延迟信号，该延迟控制电路包括：
2.如权利要求1所述的延迟控制电路，其特征在于，该快速模式的该延迟量的变化率大于该正常模式的该延迟量的变化率。
3.如权利要求1所述的延迟控制电路，其特征在于，该N值检测电路更被配置为执行N值检测动作，该N值检测动作包括在该延迟动作之后检测从该输入时脉信号到该输出时脉信号为止的延迟时脉周期数。
4.如权利要求1所述的延迟控制电路，其特征在于，在该预延迟时脉周期数不大于预定值时，该延迟锁定回路控制电路被配置为使该快速模式的该延迟...
【技术特征摘要】
1.一种延迟控制电路，其特征在于，用以根据输入时脉信号产生作为输出时脉信号的延迟信号，该延迟控制电路包括：
2.如权利要求1所述的延迟控制电路，其特征在于，该快速模式的该延迟量的变化率大于该正常模式的该延迟量的变化率。
3.如权利要求1所述的延迟控制电路，其特征在于，该n值检测电路更被配置为执行n值检测动作，该n值检测动作包括在该延迟动作之后检测从该输入时脉信号到该输出时脉信号为止的延迟时脉周期数。
4.如权利要求1所述的延迟控制电路，其特征在于，在该预延迟时脉周期数不大于预定值时，该延迟锁定回路控制电路被配置为使该快速模式的该延迟量的增加率大于该正常模式的该延迟量的增加率。
5.如权利要求2所述的延迟控制电路，其特征在于，
6.如权利要求5所述的延迟控制电路，其特征在于，
7.如权利要求3所述的延迟控制电路，其特征在于，在该预延迟时脉周期数不大于该预定值时，该n值检测电路不进行该n值检测动作。
8.如权利要求1所述的延迟控制电路，其特征在于，更包括延迟计数器，该n值检测电路被配置为将该预n值检测动作中所检测到的该预延迟时脉周期数或该预延迟时脉周期数增加1时脉单位的值作为延迟时脉周期数输出至该延迟计数器。
9.如权利要求1所述的延迟控制电路，其特征在于，更包括：
1...
【专利技术属性】
技术研发人员：奥野晋也，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。