【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板的制造方法，从由单晶材料构成的锭制造基板。
技术介绍
1、半导体器件的芯片通常利用由硅、碳化硅、氮化镓、钽酸锂(lt)或铌酸锂(ln)等单晶材料构成的圆柱状的基板而制造。该基板例如是使用线切割机从圆柱状的锭切出的(例如参照专利文献1)。
2、不过，使用线切割机从锭切出基板时的切割量为300μm左右，是比较大的。另外，在这样切出的基板的正面上形成有微细的凹凸，并且该基板整体上弯曲(在基板上产生翘曲)。因此，在利用该基板制造芯片时，需要对基板的正面实施研磨、蚀刻和/或抛光而使正面平坦化。
3、在该情况下，最终能够作为基板利用的半导体材料的量为锭的总量的2/3左右。即，在从锭切出基板时和进行基板的正面的平坦化时将锭的总量的1/3左右废弃。因此，在这样使用线切割机而制造基板的情况下，生产率降低。
4、鉴于该点，提出了如下的方法：在从正面侧对锭照射透过单晶材料的波长的激光束从而在锭的内部形成包含改质部和从改质部伸展的裂纹的剥离层之后，以该剥离层为起点而从锭分离基板(例如参照专利文献2)。在利用该方法从锭制造基板的情况下，与使用线切割机从锭制造基板的情况相比，能够提高基板的生产率。
5、专利文献1：日本特开2000-94221号公报
6、专利文献2：日本特开2016-111143号公报
7、该方法是从锭一张一张地制造基板的所谓的单张式的方法。另一方面，在使用线切割机从锭制造基板的情况下，能够从锭同时制造多个基板。因此，在利用激光束从锭制造基板的情况下，
8、为了提高利用激光束从锭制造基板时的生产量，例如只要增大向锭照射的激光束的输出即可。由此，从形成于锭的内部的改质部伸展的裂纹变长。其结果是，能够缩短形成从锭分离基板时作为起点的剥离层所需的时间。
9、不过，为了增大激光束的输出，需要使生成激光束的激光振荡器大型化。因此，在该情况下，具有激光振荡器的激光加工装置会大型化并且变得昂贵。另外，在该情况下，担心用于朝向锭照射激光束的光学系统所包含的部件(例如聚光透镜等)发生损伤而光学特性劣化。
技术实现思路
1、鉴于该点，本专利技术的目的在于提供基板的制造方法，能够不增大激光束的输出而提高利用激光束从锭制造基板时的生产量。
2、根据本专利技术，提供基板的制造方法，从由单晶材料构成的锭制造基板，其中，该基板的制造方法具有如下的步骤：剥离层形成步骤，从正面侧照射透过该单晶材料的波长的激光束，由此在该锭的内部形成包含改质部和从该改质部伸展的裂纹的剥离层；以及分离步骤，以该剥离层为起点而从该锭分离该基板，在该剥离层形成步骤中，在按照形成沿着与该正面不平行且与该单晶材料的特定的晶面平行的第一方向排列的多个聚光点的方式将该激光束分支的状态下，按照沿着与该正面以及该特定的晶面分别平行的第二方向的方式使该锭和该多个聚光点相对地移动，由此形成该剥离层。
3、在本专利技术中，在按照形成沿着与构成锭的单晶材料的特定的晶面平行的第一方向排列的多个聚光点的方式将激光束分支的状态下，按照沿着与该特定的晶面平行的第二方向的方式使锭和多个聚光点相对地移动，由此形成剥离层。
4、在该情况下，分别以多个聚光点的各个聚光点为中心而形成改质部，并且裂纹容易从该改质部沿着该特定的晶面伸展。并且，与无序伸展的裂纹相比，沿着特定的晶面伸展的裂纹容易变长。
5、因此，在该情况下，能够不增大激光束的输出而使形成于锭的内部的裂纹变长。其结果是，在本专利技术中，能够提高从锭制造基板时的生产量。
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1.一种基板的制造方法，从由单晶材料构成的锭制造基板，其中，
【技术特征摘要】
1.一种基板的制造方法，从由单...
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