MEMS开关及其制备方法、电子设备技术

一种MEMS开关及其制备方法、电子设备，该MEMS开关包括：基底(1)、设置于基底(1)一侧的共面波导线结构、设置于共面波导线结构远离基底(1)一侧的隔离结构、设置于隔离结构远离基底一侧的膜桥(8)；共面波导线结构包括：依次间隔设置的第一导线(7)、第一直流偏置线(2)、第二导线(4)、第二直流偏置线(6)和第三导线(9)；第二导线(4)为射频信号传输线和地线中的一种，且第一导线(7)和第三导线(4)均为射频信号传输线和地线中的另一种；膜桥(8)，跨设于第一导线(7)和第三导线(9)之间，并分别与第一导线(7)和第三导线(9)连接。该结构可以实现信号线与直流偏置线解耦，可以改善MEMS开关的驱动性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：史迎利，周超，李延钊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：