半导体装置和电力变换装置制造方法及图纸

目的在于提供能够降低开关动作时的能量损耗的技术。第一周边区具备设置于第二沟槽的底部的第二导电类型的第二底部保护层，第二周边区具备设置于第三沟槽的底部的第二导电类型的第三底部保护层。第二底部保护层与源极电极电连接，或者第三底部保护层与电流感测电极电连接，或者第二底部保护层及第三底部保护层与源极电极及电流感测电极分别电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种半导体装置和电力变换装置。

技术介绍

1、在电力电子设备中，作为切换用于对电马达等负载进行驱动的电力供给的执行和停止的单元，使用igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极晶体管)和mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等开关器件。

2、在设想被用作电力用半导体装置的开关器件中，采用纵型构造的纵型mosfet和纵型igbt的情况多。例如作为纵型mosfet，已知栅极构造不同的平面型和沟槽型(还有时被称为沟槽栅极型)等的mosfet。

3、在n型的漂移层的有源区形成有作为槽部的栅极沟槽的沟槽栅极型mosfet中，在其构造上，在断开时对栅极沟槽底部的栅极绝缘膜施加高电场，在该栅极绝缘膜有可能发生不良状况。针对该问题，例如在专利文献1中提出了以下结构：通过以覆盖栅极沟槽底部的方式设置p型的电场缓和区等保护扩散层，缓和对栅极沟槽底部的栅极绝缘膜施加的电场。p>

4、另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：相互分离的主单元区和感测单元区、在所述主单元区与所述感测单元区之间与所述主单元区邻接的第一周边区、在所述主单元区与所述感测单元区之间与所述感测单元区邻接的第二周边区以及将所述第一周边区与所述第二周边区分离的分离区，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1至5中的任...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，具备：相互分离的主单元区和感测单元区、在所述主单元区与所述感测单元区之间与所述主单元区邻接的第一周边区、在所述主单元区与所述感测单元区之间与所述感测单元区邻接的第二周边区以及将所述第一周边区与所述第二周边区分离的分离区，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：足立亘平，福井裕，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：