【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种基体处理方法，尤其是涉及在制造太阳能电池晶片过程中处理基体的方法。
技术介绍
1、在太阳能电池的晶片制备过程中，通常需要一个制绒步骤。制绒就是在基体的表面形成绒面，绒面会使光线多次反射、折射等，从而改变光线转播路径，使光线进入到电池中。通过制绒可以减少电池表面对太阳光的反射、增加光吸收，从而提高电池对太阳光的利用率和电池转换效率。
2、通常，硅片表面的绒面越大，则电池对光线的反射率也就越大，金属栅线与电池表面粘结力越好；相反，如果电池表面的绒面越小，则电池对光线的反射率越小，金属栅线与电池表面粘结力越差。
3、在现有技术中，通过制绒步骤，在硅片表面上形成倒金字塔绒面，该绒面为单一的绒面微结构，而金字塔绒面的减反射效果与金属栅线与电池表面粘结力往往存在着矛盾，表面绒面越小减反射效果越好，表面绒面越大金属栅线与电池表面粘结力越好，这就导致太阳能电池的表面结构难以兼顾减反射效果和金属栅线粘附质量。
4、为了克服这个问题，在现有技术中，提出了形成两种不同绒面大小的制备方法，该方法通常需要使用掩膜在基体表面上形成图形化结构，由此在基体表面形成镂空区和遮盖区，在镂空区对应的基体表面进行制绒处理，形成具有大尺寸的绒面，然后去除遮盖区，并再对去除了遮盖区的部分进行制绒处理，从而形成小尺寸绒面。但是，这种方法需要掩膜制作并需要去除掩膜和两次制绒，使得整个工艺变得复杂，并且操作成本高。
技术实现思路
1、由此，本申请的目的是提供一种基体处理方法，尤其是
2、根据本申请的一个方面，提供了一种基体处理方法，该方法包括提供基体，该基体包括第一表面；对该基体的第一表面进行区域化氧化，由此在该第一表面上形成包括氧化层的第一区域和不包括氧化层的第二区域；将基体进入到碱溶液中持续预定时间段，例如10s～600s进行制绒，从而在所述第一表面的第一区域上形成第一绒面结构且在所述第一表面的第二区域上形成第二绒面结构，第一绒面结构的尺寸小于第二绒面结构的尺寸。
3、在一个实施例中，该基体为硅基体，特别是n型硅基体。
4、在一个实施例中，在基体为硅基体的情况下，氧化层为氧化硅层，区域化氧化该n型硅基体优选地通过激光氧化工艺形成，通过调整激光器的能量以及照射时间，可以容易地控制氧化层的氧化厚度。
5、在一个实施例中，碱溶液为koh溶液或naoh溶液，在包括区域化氧化层的基体浸入碱溶液后，首先，碱溶液对无氧化硅掩膜层的第二区域进行制绒，同时碱液开始腐蚀第一区域的氧化硅掩膜层，随着氧化硅掩膜层被碱液去除，碱液开始对具有氧化硅掩膜层的第一区域进行制绒；利用碱液与硅基体和氧化层的反应速率不同的特点，使得第二区域的反应时间长，得到大绒面结构；而第一区域反应时间短，得到小绒面结构，从而，通过简单一个步骤，获得了不同尺寸的绒面结构。
6、在一个实施例中，第一区域可以是其上将不形成金属栅线的区域，而第二区域可以是在其上将形成金属栅线的区域，由此，在本说明书中以及权利要求书中，第一区域也称为非金属栅线区域，而第二区域也成为金属栅线区域。
7、由此，通过在金属栅线区域形成大尺寸的绒面结构，可以提高金属栅线与基体的附着力，并且通过控制激光器的功率、激光器的照射时间、激光的扫略路径，可以精确控制氧化层的厚度、很好地控制金属栅线区域和非金属栅线区域之间的尺寸差异，从而实现了栅线附着力和电池片表面减反射效果的有机平衡，从而使得该方法具有很好的工艺可控性。
8、在一个实施例中，该基体还包括与第一表面相对的第二表面，所述方法还包括对所述第二表面进行区域化氧化，以形成具有氧化层的第三区域和不具有氧化层的第四区域。由此，在将第一表面和第二表面都进行区域化氧化的基体浸入到碱溶液中时，可以同时对基体的第一表面和第二表面同时制绒，并且可以在第一表面和第二表面上同时形成不同尺寸的绒面结构。
9、并且，通过在第一表面和第二表面区域化氧化步骤中，通过控制激光器的功率、照射时间以及扫略路径等，可以定制化在第一表面和第二表面上形成的氧化层的厚度、尺寸、位置等，由此，可以根据需要在基体的第一表面和第二表面上形成不同尺寸、布局的绒面结构。
10、根据本申请的方法，省略了掩膜和多次制绒步骤，由此使得整个基体的制绒过程得以简化，由此降低了生产成本。通过在基体表面的不同区域形成不同尺寸的绒面结构，采用本专利技术方法制作的太阳能电池的栅线在电池片表面的粘结力好，同时非栅线区域具有较好减反射效果，使得太阳能电池在能够获得最佳减反射效果的同时又可以极大改善电池栅线在电池表面的粘结性能。
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1.一种晶片处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述基体是硅基体，尤其是n型硅基体。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述区域化氧化步骤包括采用激光器沿着预定路径照射所述第一表面的第一区域。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述激光器采用波长为355纳米的紫外皮秒激光器，且能量密度设定为0.02～1.50J/cm2。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述基体还包括与所述第一表面相对的第二表面，所述方法在制绒步骤之前还包括：区域化氧化第二表面，以形成包括氧化层的第三区域和不包括氧化层的第四区域。
6.如权利要求5所述的方法，其中，形成在第一区域上的氧化层的厚度不同于形成在第三区域上的氧化层的厚度。
7.一种太阳能电池硅片制备方法，包括：
8.一种太阳能电池硅片制备方法，包括：
9.一种硅基体，其中，所述硅基体是通过如权利要求1至6中任一项所述的方法获得。
10.一种太阳能电池硅片，其中，所述太阳能电池硅片是利用如权利要求7或8所述的方法获
...【技术特征摘要】
1.一种晶片处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述基体是硅基体，尤其是n型硅基体。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述区域化氧化步骤包括采用激光器沿着预定路径照射所述第一表面的第一区域。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述激光器采用波长为355纳米的紫外皮秒激光器，且能量密度设定为0.02～1.50j/cm2。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述基体还包括与所述第一表面相对的第二表面，所述方法在制绒步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秀林，陈斌，张俊兵，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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