【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体器件，还涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、高压集成电路通常包括高压集成电路、低压集成电路以及高压功率器件，其中，高压功率器件通常采用的是“源包漏”的跑道型结构。然而，这种高压功率器件的源端接低压且其漏端接高压的方式会导致高压跨线经过器件的漂移区，进而影响器件的耐压。此外，还存在高压集成电路与漏端之间的漏电、高压集成电路器件面积过大等缺点。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供一种半导体器件及其制造方法，以解决上述至少一个技术问题。
2、一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区和位于高压器件区与低压器件区之间的隔离区，还包括：
3、漂移区，设于所述高压器件区，且具有第一导电类型；
4、第二导电类型阱区，设于所述隔离区并延伸至所述低压器件区，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；
5、隔离阱区，具有所述第二导电类型，设于所述漂移区中，将所述漂移区分隔为高压漂移区和功率器件漂移区；
6、隔离结构，设于所述隔离阱区中，包括导电结构及包围所述导电结构的底面与侧面的介电层；
7、功率器件源区，设于所述隔离区并位于所述第二导电类型阱区中，具有所述第一导电类型；以及
8、功率器件漏区，设于所述功率器件漂移区中，具有所述第一导电类型。
9、在其中一个实施例中，所述功率器件漂移区完全包围于所述隔离阱区与所述第二导电类型阱区围成的区域中。>
10、在其中一个实施例中，所述隔离阱区中设有间隔设置的多个沟槽，所述沟槽从所述隔离阱区的上表面延伸入所述隔离阱区中，所述沟槽内设有所述隔离结构。
11、在其中一个实施例中，各所述沟槽等间距设置。
12、在其中一个实施例中，所述沟槽还继续延伸至所述隔离阱区的底部。
13、在其中一个实施例中，所述隔离阱区中设有从所述隔离阱区的上表面延伸入所述隔离阱区中的沟槽，所述沟槽的长度与所述隔离阱区的长度相同，所述沟槽内设有所述隔离结构。
14、在其中一个实施例中，所述介电层的材质包括硅氧化物；和/或，所述导电结构的材质包括多晶硅。
15、在其中一个实施例中，所述导电结构外接电位。
16、在其中一个实施例中，功率器件为横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管ldmos。
17、在其中一个实施例中，所述功率器件还包括：
18、场氧层，设于所述功率器件漂移区上；
19、栅极，设于所述场氧层上，且延伸覆盖至所述功率器件源区的一部分；
20、衬底引出区，具有第二导电类型，设于所述低压器件区并位于所述第二导电类型阱区中。
21、一种半导体器件的制造方法，包括：
22、在高压器件区形成漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；
23、在隔离区形成第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区还延伸至低压器件区，在所述漂移区中形成隔离阱区，以将所述漂移区分隔为高压漂移区和功率器件漂移区，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；
24、在所述隔离阱区中形成隔离结构，所述隔离结构包括导电结构及包围所述导电结构的底面与侧面的介电层；
25、形成功率器件源区，所述功率器件源区设于所述隔离区并位于所述第二导电类型阱区中，以及形成位于所述功率器件漂移区中的功率器件漏区，所述功率器件源区和所述功率器件漏区均具有所述第一导电类型。
26、在其中一个实施例中，所述在所述隔离阱区中形成隔离结构，包括：
27、向下刻蚀所述隔离阱区，从而在所述隔离阱区中形成至少一沟槽；
28、在各所述沟槽的内壁形成所述介电层；
29、形成填充于所述沟槽的导电结构。
30、上述半导体器件及其制造方法，一方面，因隔离阱区中隔离结构的设置，在高压电流通过高压漂移区流向功率器件的过程中，隔离结构的介电层起电隔离作用，可减小由高压器件区通过高压漂移区流向功率器件的漏电流。另一方面，虽然隔离阱区与高压漂移区之间以及隔离阱区与功率器件漂移区之间引入新的耗尽区，使得漂移区和衬底在功率器件漏区的电场峰值提高，但是导电结构、介电层和隔离阱区构成类似导电材料-介电材料-半导体的电容器效果。既能辅助耗尽漂移区，还能在功率器件反向截止时使漂移区底部的等势线压在隔离结构中，极大地减小了因隔离阱区的引入而造成的电场峰值。如此，利用该半导体器件，既能减小由高压器件区通过漂移区流向功率器件的漏电流，又不会影响半导体器件的耐压。
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1.一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区和位于高压器件区与低压器件区之间的隔离区，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述功率器件漂移区完全包围于所述隔离阱区与所述第二导电类型阱区围成的区域中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离阱区中设有间隔设置的多个沟槽，所述沟槽从所述隔离阱区的上表面延伸入所述隔离阱区中，所述沟槽内设有所述隔离结构。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，各所述沟槽等间距设置。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽还继续延伸至所述隔离阱区的底部。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离阱区中设有从所述隔离阱区的上表面延伸入所述隔离阱区中的沟槽，所述沟槽的长度与所述隔离阱区的长度相同，所述沟槽内设有所述隔离结构。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层的材质包括硅氧化物；和/或，所述导电结构的材质包括多晶硅。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体器件，其特征在于，功率器件为横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOS。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述功率器件还包括：
11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述隔离阱区中形成隔离结构，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区和位于高压器件区与低压器件区之间的隔离区，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述功率器件漂移区完全包围于所述隔离阱区与所述第二导电类型阱区围成的区域中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离阱区中设有间隔设置的多个沟槽，所述沟槽从所述隔离阱区的上表面延伸入所述隔离阱区中，所述沟槽内设有所述隔离结构。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，各所述沟槽等间距设置。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽还继续延伸至所述隔离阱区的底部。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离阱区中设有从所述隔离阱区的上...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘腾，何乃龙，顾力晖，张森，章文通，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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