【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种薄膜的形成方法及形成装置。
技术介绍
1、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)技术是目前最先进的薄膜沉积技术之一，其采用的单原子逐层沉积的方式使得制备的薄膜在均一性、粗糙度以及厚度精准控制等方面有很大的改进。
2、目前，在进行原子层沉积的过程中，主要通过前驱体和共反应物在反应腔室内进行反应，进而形成附着于半导体结构表面的薄膜。然而，在此过程中，固态的副产物含量较大，易阻塞管道，机台产出速率较低。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种薄膜的形成方法及形成装置，可避免阻塞管道，提高机台的产出速率，提高产量。
2、根据本公开的一个方面，提供一种薄膜的形成方法，包括：
3、提供反应腔室，所述反应腔室内设有承载台，所述承载台上设有半导体结构；
4、向本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述前驱体包括钛离子，所述第一气体为含硫气体，所述中间体为硫化钛。
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第三气体为含氮气体。
4.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述前驱体包括四氯化钛，所述含硫气体包括硫化氢。
5.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述含氮气体包括NH3、N2H2、N2H4中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述除去所述第二气体包括：
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