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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种薄膜的形成方法及形成装置。本公开的形成方法包括：提供反应腔室，反应腔室内设有承载台，承载台上设有半导体结构；向反应腔室内通入前驱体；在第一预设温度下向反应腔室通入第一气体，第一气体与前驱体反应生成中间体和...
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