System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 太阳能电池及光伏组件制造技术_技高网

太阳能电池及光伏组件制造技术

技术编号:40043035 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-16 20:01
本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括基底,基底具有沿第一方向交替设置的电极区以及非电极区;电极区的基底表面为第一表面,非电极区的基底表面为第二表面,第一表面的粗糙度小于第二表面的粗糙度;第一隧穿介质层以及位于第一隧穿介质层表面的第一掺杂导电层;钝化层,钝化层位于第二表面以及第一掺杂导电层的表面;多个沿第一方向依次排布的电极,每一电极位于电极区;每一电极包括覆盖电极区上方的指状电极以及多个沿第二方向依次排布的点状电极,每一点状电极位于指状电极的下方且连接同一指状电极,其中,点状电极穿透钝化层与第一掺杂导电层接触,指状电极和点状电极材料不同。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及光伏领域,特别涉及一种太阳能电池及光伏组件


技术介绍

1、目前,随着化石能源的逐渐耗尽,太阳电池作为新的能源替代方案,使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子,然后使用电极将载流子引出,从而利于将电能有效利用。

2、目前的太阳能电池主要包括ibc电池(交叉背电极接触电池,interdigitatedback contact)、topcon(tunnel oxide passivated contact,隧穿氧化层钝化接触)电池、perc电池(钝化发射极和背面电池,passivated emitter and real cell)以及异质结电池等。通过不同的膜层设置以及功能性限定减少光学损失以及降低硅基底表面及体内的光生载流子复合以提升太阳能电池的光电转换效率。

3、然而,目前的太阳能电池的光电转换效率仍然欠佳。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件,至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

2、根据本申请一些实施例,本申请实施例一方面提供一种太阳能电池,包括:基底,所述基底具有沿第一方向交替设置的电极区以及非电极区;所述电极区的基底表面为第一表面,所述非电极区的基底表面为第二表面,所述第一表面的粗糙度小于所述第二表面的粗糙度;第一隧穿介质层,所述第一隧穿介质层覆盖所述第一表面;第一掺杂导电层,所述第一掺杂导电层位于所述第一隧穿介质层远离所述基底的一侧;钝化层,所述钝化层位于所述第二表面以及所述第一掺杂导电层的表面;多个沿所述第一方向依次排布的电极,每一所述电极位于所述电极区;每一所述电极包括覆盖所述电极区上方的指状电极以及多个沿第二方向依次排布的点状电极,每一所述点状电极位于所述指状电极的下方且连接同一所述指状电极,其中,每一所述点状电极穿透所述钝化层与所述第一掺杂导电层接触,所述指状电极和点状电极材料不同。

3、在一些实施例中,所述第一掺杂导电层包括多个子掺杂导电层,每一所述子掺杂导电层与每一所述点状电极一一对应,所述每一点状电极贯穿所述钝化层与所述每一子掺杂导电层电接触。

4、在一些实施例中,所述第一隧穿介质层包括多个子隧穿介质层,每一所述子隧穿介质层与所述每一子掺杂导电层一一对应。

5、在一些实施例中,每一所述点状电极在所述子掺杂导电层的正投影位于所述子掺杂导电层内。

6、在一些实施例中,还包括:电连接层,所述电连接层位于非电极区,所述电连接层位于所述基底与所述钝化层之间;沿所述第一方向,所述电连接层的两端分别与相邻的两个所述子掺杂导电层电接触。

7、在一些实施例中,沿所述第二方向,相邻的所述点状电极之间的间距为第一间距,每一所述点状电极沿所述第二方向的长度为第一长度;所述第一间距与所述第一长度的比值范围包括10~400。

8、在一些实施例中,所述第一长度的范围包括5um~50um。

9、在一些实施例中,所述指状电极沿所述第二方向的长度为第二长度;沿所述第二方向,所述多个点状电极的沿第二方向的总长度与所述第二长度的比值范围包括0.003~0.2。

10、在一些实施例中,同一所述指状电极下方的所述多个点状电极数量为n,其中,n≥100。

11、在一些实施例中,所述第二表面具有多个第一凸起结构;所述第一掺杂导电层远离所述隧穿介质层的一侧具有微绒面结构,所述微绒面结构包括多个微凸起结构,所述微凸起结构的尺寸小于所述第一凸起结构的尺寸;所述微绒面结构的粗糙度大于所述第一表面的粗糙度。

12、在一些实施例中,所述第一表面包括平整面。

13、在一些实施例中,所述基底具有相对的第一面以及第二面,所述第一面包括所述第一表面以及所述第二表面;还包括:第一钝化层,所述第一钝化层位于所述第二面;第二掺杂导电层,所述第二掺杂导电层位于所述第一钝化层远离所述基底的一侧;所述第一掺杂导电层具有n型掺杂元素或者p型掺杂元素的一者,所述第二掺杂导电层具有n型掺杂元素或者p型掺杂元素的另一者。

14、在一些实施例中,所述基底内的第三掺杂元素的导电类型与所述第一掺杂导电层的第一掺杂元素的导电类型相同。

15、在一些实施例中,所述第二面的粗糙度大于所述第一表面的粗糙度。

16、在一些实施例中,还包括:发射极,所述发射极位于所述电极区以及所述非电极区,所述发射极位于所述基底与所述第一隧穿介质层之间以及所述基底与所述钝化层之间;所述发射极与所述第一表面以及所述第二表面共形。

17、在一些实施例中,还包括:掺杂层,所述掺杂层位于所述非电极区的基底与所述钝化层之间,所述掺杂层的第四掺杂元素的导电类型与所述第一掺杂导电层的第一掺杂元素的导电类型相同。

18、在一些实施例中,所述第四掺杂元素的第四掺杂浓度小于或等于所述第一掺杂元素的第一掺杂浓度。

19、根据本申请一些实施例,本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件,包括:电池串,由多个如上述实施例中任一项所述的太阳能电池连接而成;封装胶膜,用于覆盖所述电池串的表面;盖板,用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。

20、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点:

21、本申请实施例提供的太阳能电池中,第一表面的粗糙度小于第二表面的粗糙度,非电极区的基底表面的粗糙度高代表着非电极区的基底表面具有凹凸结构,凹凸结构可以增加入射光线的内反射,从而提高光线的利用率;电极区的基底表面的粗糙度低代表电极区的基底表面较为平整,从而沉积在其上的第一隧穿介质层以及第一掺杂导电层的膜层的沉积性能较好,进而具有较高的致密度,可以发挥较好的钝化效果降低电极区的基底表面的表面缺陷。电极包括指状电极以及多个沿第二方向依次排布的点状电极,每一点状电极贯穿钝化层与第一掺杂导电层电接触,则对钝化层的完整性破损较小,从而促使钝化层可以对基底的较多表面形成良好的钝化,降低基底的表面缺陷。此外,与整个电极烧穿钝化层相比,点状电极烧穿钝化层与第一掺杂导电层接触,降低了银浆含量,从而降本。

22、其次,点状电极烧穿钝化层则代表点状电极的浆料是高温烧穿性浆料,反之,指状电极并未烧穿钝化层,则指状电极可以是非烧穿型的低温浆料,则可以降低高温对电池结构所造成的损伤,也可以降低第一掺杂导电层内的掺杂元素穿过第一隧穿介质层进入基底的可能性。

23、此外,电极区的基底表面的粗糙度低,为了提高第一隧穿介质层以及第一掺杂导电层的钝化效果,电极设计为点状电极以及指状电极,进一步降低了电极烧结对第一隧穿介质层以及第一掺杂导电层的钝化效果的影响,从而提高太阳能电池的电池效率。点状电极也可以降低电极材料烧穿第一隧穿介质层所造成的损害。

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【技术保护点】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂导电层包括多个子掺杂导电层,每一所述子掺杂导电层与每一所述点状电极一一对应,所述每一点状电极贯穿所述钝化层与所述每一子掺杂导电层电接触。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一隧穿介质层包括多个子隧穿介质层,每一所述子隧穿介质层与所述每一子掺杂导电层一一对应。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,每一所述点状电极在所述子掺杂导电层的正投影位于所述子掺杂导电层内。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:电连接层,所述电连接层位于非电极区,所述电连接层位于所述基底与所述钝化层之间;沿所述第一方向,所述电连接层的两端分别与相邻的两个所述子掺杂导电层电接触。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述第二方向,相邻的所述点状电极之间的间距为第一间距,每一所述点状电极沿所述第二方向的长度为第一长度;所述第一间距与所述第一长度的比值范围包括10~400。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一长度的范围包括5um~50um。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述指状电极沿所述第二方向的长度为第二长度;沿所述第二方向,所述多个点状电极的沿第二方向的总长度与所述第二长度的比值范围包括0.003~0.2。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,同一所述指状电极下方的所述多个点状电极数量为N,其中,N≥100。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二表面具有多个第一凸起结构;所述第一掺杂导电层远离所述第一隧穿介质层的一侧具有微绒面结构,所述微绒面结构包括多个微凸起结构,所述微凸起结构的尺寸小于所述第一凸起结构的尺寸;所述微绒面结构的粗糙度大于所述第一表面的粗糙度。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一表面包括平整面。

12.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底具有相对的第一面以及第二面,所述第一面包括所述第一表面以及所述第二表面;还包括:

13.根据权利要求1或12所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底内的第三掺杂元素的导电类型与所述第一掺杂导电层的第一掺杂元素的导电类型相同。

14.根据权利要求12所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二面的粗糙度大于所述第一表面的粗糙度。

15.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:发射极,所述发射极位于所述电极区以及所述非电极区,所述发射极位于所述基底与所述第一隧穿介质层之间以及所述基底与所述钝化层之间;所述发射极与所述第一表面以及所述第二表面共形。

16.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:掺杂层,所述掺杂层位于所述非电极区的基底与所述钝化层之间,所述掺杂层的第四掺杂元素的导电类型与所述第一掺杂导电层的第一掺杂元素的导电类型相同。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池,其特征在于,所述第四掺杂元素的第四掺杂浓度小于或等于所述第一掺杂元素的第一掺杂浓度。

18.一种光伏组件,其特征在于,包括:

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂导电层包括多个子掺杂导电层,每一所述子掺杂导电层与每一所述点状电极一一对应,所述每一点状电极贯穿所述钝化层与所述每一子掺杂导电层电接触。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一隧穿介质层包括多个子隧穿介质层,每一所述子隧穿介质层与所述每一子掺杂导电层一一对应。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,每一所述点状电极在所述子掺杂导电层的正投影位于所述子掺杂导电层内。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:电连接层,所述电连接层位于非电极区,所述电连接层位于所述基底与所述钝化层之间;沿所述第一方向,所述电连接层的两端分别与相邻的两个所述子掺杂导电层电接触。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述第二方向,相邻的所述点状电极之间的间距为第一间距,每一所述点状电极沿所述第二方向的长度为第一长度;所述第一间距与所述第一长度的比值范围包括10~400。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一长度的范围包括5um~50um。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述指状电极沿所述第二方向的长度为第二长度;沿所述第二方向,所述多个点状电极的沿第二方向的总长度与所述第二长度的比值范围包括0.003~0.2。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,同一所述指状电极下方的所述多个点状电极数量为n,其中,n≥100。

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【专利技术属性】
技术研发人员:张远方郑霈霆杨洁张昕宇
申请(专利权)人:浙江晶科能源有限公司
类型:发明
国别省市:

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