一种CMP抛光垫再加工装置制造方法及图纸

本技术公开了一种CMP抛光垫再加工装置，包括：主体；切割单元，设于主体底部，带有切割刀；流体喷射单元，至少包括设于所述切割单元两侧的缓冲体，及用于向缓冲体内输送流体的流体源，所述缓冲体由弹性材质制成，且开设有输出孔。本技术在切割单元的两侧设置缓冲体，利用流体推力实现切割刀的上下或/横向移动，调节快捷，调节范围广，结构简单，体积小，重量轻，维护便利；流体驱动可以杜绝湿环境大量用电的危险；缓冲体还可以在装置发生故障时起到缓冲作用，保护抛光垫不被砸伤。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体集成电路芯片制造，尤其是涉及一种cmp抛光垫再加工装置。

技术介绍

1、集成电路工艺中，晶圆抛光是十分重要的工序之一，cmp抛光垫作为晶圆抛光过程中的主要消耗品之一，随着生产效率的提高，抛光垫的消耗量也越来越大，而目前抛光垫的价格很高，在长期的晶圆抛光过程中，这是一项巨大的开支。

2、现有的抛光垫厚度一般在几毫米，与晶圆直接接触面存在各种形状不一的沟槽，随着抛光垫的磨损，沟槽逐渐变浅直至消失，抛光垫失效，但此时cmp抛光垫剩余厚度仍远大于原沟槽深度，若能将抛光垫的剩余厚度利用起来，对抛光垫沟槽进行加工再利用，从而延长抛光垫的使用寿命，这将大大降低工艺成本。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本技术提供一种cmp抛光垫再加工装置，其利用流体喷射单元实现切割刀的位置调节，结构简单，调节快速有效。

2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种cmp抛光垫再加工装置，包括：

3、主体；

4、切割单元，设于主体底部，带有切割刀；

5本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CMP抛光垫再加工装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的CMP抛光垫再加工装置，其特征在于：所述切割刀(21)向下延伸，所述输出孔(311)位于缓冲体(31)下方和/或侧方。

3.根据权利要求1或2所述的CMP抛光垫再加工装置，其特征在于：所述缓冲体(31)远离切割单元(2)的侧方设有输出孔(311)。

4.根据权利要求1所述的CMP抛光垫再加工装置，其特征在于：所述缓冲体(31)为气囊。

5.根据权利要求1所述的CMP抛光垫再加工装置，其特征在于：还包括图像获取单元(4)，其设于主体(1)侧壁，且靠近所述切割单元(2)...

【技术特征摘要】

1.一种cmp抛光垫再加工装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的cmp抛光垫再加工装置，其特征在于：所述切割刀(21)向下延伸，所述输出孔(311)位于缓冲体(31)下方和/或侧方。

3.根据权利要求1或2所述的cmp抛光垫再加工装置，其特征在于：所述缓冲体(31)远离切割单元(2)的侧方设有输出孔(311)。

4.根据权利要求1所述的cmp抛光垫再加工装置，其特征在于：所述缓冲体(31)为气囊。

5.根据权利要求1所述的cmp抛光垫再加工装置，其特征在于：还包括图像获取单元(4)，其设于主体(1)侧壁，且靠近所述切割单元(2)设置。

6.根据权利要求5所述的cmp抛光垫再加工装置，其特征在于：所述图像获取单元(4)为摄像头，其靠近所述切割刀(21)的中轴线设置。

7.根据权利要求5所述的cmp...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佳林，杨渊思，喻康，
申请(专利权)人：杭州众硅电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：