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本技术公开了一种CMP抛光垫再加工装置，包括：主体；切割单元，设于主体底部，带有切割刀；流体喷射单元，至少包括设于所述切割单元两侧的缓冲体，及用于向缓冲体内输送流体的流体源，所述缓冲体由弹性材质制成，且开设有输出孔。本技术在切割单元的两侧设...
该专利属于杭州众硅电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州众硅电子科技有限公司授权不得商用。

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