本申请提供一种高阻断电压的压接型半导体器件，可用于电力半导体器件技术领域。所述高阻断电压的压接型半导体器件包括：包括芯片、设置在所述芯片阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片阴极侧的阴极金属管壳；其中，所述阳极金属管壳远离所述芯片的外压接面向内凹陷；和/或所述阴极金属管壳远离所述芯片的外压接面向内凹陷。本申请实施例提供的高阻断电压的压接型半导体器件，通过将压接型半导体器件原有封装结构中金属管壳的一部分设计为凹陷面，有助于提高器件阻断电压，减小器件的体积，且能够大幅降低器件的接触热阻。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力半导体器件，具体涉及一种高阻断电压的压接型半导体器件。
技术介绍
1、大功率压接型半导体器件是直流输配电系统中的重要组成部分。根据芯片结构和器件工作原理可大致分为晶闸管、门极可关断晶闸管(gto)、门极换流晶闸管(gct)等类型。其共同特点是器件主要压接结构由金属管壳、金属垫片、芯片组成，其中压力通过阳极金属管壳-阳极金属垫片-芯片-阴极金属垫片-阴极金属管壳的路径传递，其中阳、阴极金属管壳的外表面为器件的外部阳、阴极压接面，压接面之间的间距通常称为器件厚度。
2、压接型半导体器件的散热方式为芯片的阳、阴极面直接或通过金属垫片将芯片产生的热损耗传递到金属管壳上，再通过金属管壳传递到散热器。传热过程受到芯片、金属垫片、金属管壳的体热阻及其各部分之间的接触热阻所阻碍。其中器件的厚度带来的体热阻是影响器件总结壳热阻的重要因素之一。对于采用门极连接环作为门极引出电极的封装结构来说，器件需要考虑阳极到门极之间的绝缘距离，因此其厚度通常取决于边缘的陶瓷结构，因而需要维持较大的厚度，也就带来了器件整体较大的结壳热阻。
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【技术保护点】
1.一种高阻断电压的压接型半导体器件，其特征在于，包括芯片、设置在所述芯片阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片阴极侧的阴极金属管壳；其中，
2.根据权利要求1所述的高阻断电压的压接型半导体器件，其特征在于，还包括与所述阳极金属管壳连接的阳极金属法兰、与所述芯片的门极连接的门极连接环以及与所述阳极金属法兰和所述门极连接环气密性连接的陶瓷伞裙。
3.根据权利要求2所述的高阻断电压的压接型半导体器件，其特征在于，所述阳极金属管壳向内凹陷的外压接面的底面为平面，该向内凹陷的外压接面的底面与所述阳极金属管壳靠近所述芯片的表面之间的距离为5mm～10mm；和/或
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【技术特征摘要】
1.一种高阻断电压的压接型半导体器件，其特征在于，包括芯片、设置在所述芯片阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片阴极侧的阴极金属管壳；其中，
2.根据权利要求1所述的高阻断电压的压接型半导体器件，其特征在于，还包括与所述阳极金属管壳连接的阳极金属法兰、与所述芯片的门极连接的门极连接环以及与所述阳极金属法兰和所述门极连接环气密性连接的陶瓷伞裙。
3.根据权利要求2所述的高阻断电压的压接型半导体器件，其特征在于，所述阳极金属管壳向内凹陷的外压接面的底面为平面，该向内凹陷的外压接面的底面与所述阳极金属管壳靠近所述芯片的表面之间的距离为5mm～10mm；和/或
4.根据权利要求3所述的高阻断电压的压接型半导体器件，其特征在于，所述陶瓷伞裙的高度大于或等于所述阳极金属管壳向内凹陷的外压接面的底面与所述阴极金属管壳向内凹陷的外压接面的底面之间的距离。
5.根据权利要求4所述的高阻断电压的压接型半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴锦鹏，刘佳鹏，杨晨，黄琦欢，曾嵘，陈政宇，余占清，赵彪，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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