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本申请提供一种高阻断电压的压接型半导体器件，可用于电力半导体器件技术领域。所述高阻断电压的压接型半导体器件包括：包括芯片、设置在所述芯片阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片阴极侧的阴极金属管壳；其中，所述阳极金属管壳远离所述芯片的外压接面...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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