无基岛多圈脚静电释放圈引线框结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种无基岛多圈脚静电释放圈引线框结构，包括静电释放圈（１）和引脚（２），在所述静电释放圈（１）和引脚（２）的正面和背面分别设置有第一金属层（４）和第二金属层（５），引脚（２）有多圈，引脚（２）正面尽可能的延伸到静电释放圈（１）旁边，在引脚（２）外围的区域、引脚（２）与静电释放圈（１）之间的区域以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），无填料的塑封料（３）将引脚下部外围、引脚（２）下部与静电释放圈（１）下部以及引脚（２）下部与引脚（２）下部连接成一体，且使所述静电释放圈（１）和引脚（２）背面尺寸小于静电释放圈（１）和引脚（１）正面尺寸，引脚（２）的正面设置的第一金属层（４）为全部或是局部区域电镀。本实用新型专利技术的有益效果是：塑封体与金属脚的束缚能力大、降低成本、节能减炭以及减少废弃物。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种引线框结构。属于半导体封装

技术介绍
传统的引线框结构主要有二种第一种采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，在金属基板的背面贴上一层 耐高温的胶膜形成可以进行封装过程的引线框载体(如图2所示)。第二种采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，即完成引线框的制作(如图 3所示)。而引线框的背面则在封装过程中再进行背面蚀刻。而上述的二种引线框在封装过程中存在了以下的不足点第一种1)此种引线框架因背面必须要贴上一层昂贵可抗高温的胶膜。所以直接增加了高 昂的成本。2)也因为此种引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，所以在封装过程 中的装片工艺只能使用导电或是不导电的树脂工艺，而完全不能采用共晶工艺以及软焊料 的工艺进行装片，所以可选择的产品种类就有较大的局限性。3)又因为此种引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程中 的球焊键合工艺中，因为此可抗高温的胶膜是软性材质，所以造成了球焊键合参数的不稳 定，严重的影响了球焊的质量与产品可靠度的稳定性。4)再因为此种引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程中 的塑封工艺过程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无基岛多圈脚静电释放圈引线框结构，包括静电释放圈（１）和引脚（２），在所述静电释放圈（１）和引脚（２）的正面和背面分别设置有第一金属层（４）和第二金属层（５），其特征在于：所述引脚（２）有多圈，所述引脚（２）正面延伸到静电释放圈（１）旁边，在所述引脚（２）外围的区域、引脚（２）与静电释放圈（１）之间的区域、静电释放圈（１）内的区域以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），所述无填料的塑封料（３）将引脚下部外围、引脚（２）下部与静电释放圈（１）下部、引脚（２）正面延伸部分的背面以及引脚（２）下部与引脚（２）下部连接成一体，且使所述静电释放圈（１）和引脚（２）背面尺寸小于...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[]