TCO薄膜和异质结太阳能电池制造技术

本技术涉及晶体硅太阳能电池技术领域，公开了一种TCO薄膜和异质结太阳能电池。该TCO薄膜包括多层膜结构；其中，所述多层膜结构包括交替叠加的未掺杂碳氢的导电氧化物层和掺杂碳氢的导电氧化物层。本技术提供的TCO薄膜具有未掺杂碳氢的导电氧化物层、掺杂碳氢的导电氧化物层交替叠加的多层膜结构，能够有效提升TCO薄膜在300‑1100nm波段范围的光透过率，减少光损失，同时能够提高载流子迁移率，进而可使异质结太阳能电池产品具有更高的光电转化效率和更高的短路电流密度，性能得到显著改善。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体硅太阳能电池，具体涉及一种tco薄膜和异质结太阳能电池。

技术介绍

1、晶体硅异质结太阳能电池(hjt)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发电等优点，是未来晶体硅电池发展的重要方向。

2、hjt的典型结构是以n型单晶硅片为衬底光吸收区，在单晶硅片的正面依次沉积本征非晶硅层(i-a-si∶h)和掺杂的n型非晶硅层(n-a-si∶h)，与硅衬底形成p-n异质结；在单晶硅片的背面依次沉积i-a-si∶h和掺杂的p型非晶硅层(p-a-si∶h)，形成背表面场；再在上述两侧的非晶硅层表面分别沉积透明导电氧化物(tco)薄膜，最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属电极。其中，tco薄膜可增强电荷输送能力，有效解决非晶硅层整体呈现长程无序结构、层内载流子迁移率较低所导致电池电流不能充分被金属电极收集的问题。

3、hjt对正面tco薄膜在300-1100nm波段的光透过率要求极高，同时需要具有高载流子迁移率，进而带来高的长波长透过率，减少电池的电学和光学损失本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TCO薄膜，其特征在于，所述TCO薄膜包括多层膜结构；其中，所述多层膜结构包括交替叠加的未掺杂碳氢的透明导电氧化物层和掺杂碳氢的透明导电氧化物层。

2.根据权利要求1所述的TCO薄膜，其特征在于，所述未掺杂碳氢的透明导电氧化物层的单层厚度为3-20nm。

3.根据权利要求1所述的TCO薄膜，其特征在于，所述掺杂碳氢的透明导电氧化物层的单层厚度为20-80nm。

4.根据权利要求1所述的TCO薄膜，其特征在于，所述未掺杂碳氢的透明导电氧化物层的单层厚度：掺杂碳氢的透明导电氧化物层的单层厚度比为1∶(1-4)。

5.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种tco薄膜，其特征在于，所述tco薄膜包括多层膜结构；其中，所述多层膜结构包括交替叠加的未掺杂碳氢的透明导电氧化物层和掺杂碳氢的透明导电氧化物层。

2.根据权利要求1所述的tco薄膜，其特征在于，所述未掺杂碳氢的透明导电氧化物层的单层厚度为3-20nm。

3.根据权利要求1所述的tco薄膜，其特征在于，所述掺杂碳氢的透明导电氧化物层的单层厚度为20-80nm。

4.根据权利要求1所述的tco薄膜，其特征在于，所述未掺杂碳氢的透明导电氧化物层的单层厚度：掺杂碳氢的透明导电氧化物层的单层厚度比为1∶(1-4)。

5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹跃斌，管慧兰，郑佳鑫，区灿林，周维，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：新型
国别省市：