【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，具体涉及一种测试结构及测试方法。
技术介绍
1、大马士革双嵌套结构的铜互连工艺被用于抵御电迁移问题。金属铜很容易在硅和硅化物中扩散导致金属污染影响器件性能，因此在铜电镀工艺前使用钽和氮化钽作为通孔和金属互连线的扩散阻挡层。如图1所示，由于大马士革结构的工艺特性，在铜互连层与通孔接触面必须采用铜扩散覆盖层阻挡铜在互连层上方的介质层中扩散从而避免铜布线邻层及同层短路。
2、现有技术虽然对大马式革结构中铜互连布线设计规则能进行检查，但如果铜覆盖层薄膜沉积质量不佳导致铜沿着水平方向扩散导致同层互连线短路，从而无法准确区分铜阻挡层失效与铜覆盖层失效的问题。
3、因此，需要一种新的检测铜互连布线规则的测试方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种测试结构及测试方法，应用于大马士革结构中铜互连线的工艺过程。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：
3、本说明书实施例提供一种测试结构，所述测试结构包括：第一金属层、第二金属
【技术保护点】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：第一金属层、第二金属层及中间介质层；
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，通孔在第二金属层的介质部分中呈矩阵排布结构。
3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，不同的第二金属层位置中金属边缘部分与通孔的间距按照预设顺序设置。
4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，随着第二金属层的设置，第二金属层位置中金属边缘部分与通孔的间距由最小间距逐渐变化为最大间距。
5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，不同第二金属层中相同布置的通孔按照预设方向错位形成一条通孔。<...
【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：第一金属层、第二金属层及中间介质层；
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，通孔在第二金属层的介质部分中呈矩阵排布结构。
3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，不同的第二金属层位置中金属边缘部分与通孔的间距按照预设顺序设置。
4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，随着第二金属层的设置，第二金属层位置中金属边缘部分与通孔的间距由最小间距逐渐变化为最大间距。
5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，不同第二金属层中相同布置的通孔按照...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱钰，贾威，李东洁，蒲义，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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