【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种晶圆的加工方法。
技术介绍
1、近年来，由于工艺生产技术逐步提升，sic芯片晶圆的面积也逐渐扩大，12英寸甚至更大规格的晶圆已被生产，更大的晶圆面积将实现更多的器件生产，大幅降低制造成本，然而多数器件的生产工艺中通常包括背面整面的金属沉积工艺(形成背金)，通常以jbs、mosfet、igbt等功率器件为例，这些器件的晶圆在进行划片前通常需要使用金属开槽设备将背金进行开槽，以防止背金黏连，双晶现象的产生。
2、现有的背金开槽方法主要是通过在晶圆下方拍照以获取于晶圆正面切割道对应的开槽位置，再使用激光进行背金开槽。该方法虽解决了金属延展性造成的双晶异常，但激光开槽工艺不可避免的加剧了槽边处堆积金属熔渣的现象，降低了晶圆表面的洁净度和平整度。
技术实现思路
1、本专利技术针对上述问题，至少克服一个不足，提出了一种晶圆的加工方法。
2、本专利技术采取的技术方案如下：
3、本申请提供一种晶圆的加工方法，包括如下步骤：
...
【技术保护点】
1.一种晶圆的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种晶圆的加工方法，其特征在于，所述接触层为欧姆接触金属层。
3.如权利要求1所述的一种晶圆的加工方法，其特征在于，通过负胶光刻工艺形成所述第一光刻胶层。
4.如权利要求1所述的一种晶圆的加工方法，其特征在于，通过电子束蒸发工艺或者通过磁控溅射镀膜工艺沉积形成加厚金属层。
5.如权利要求1所述的一种晶圆的加工方法，其特征在于，通过进行浸泡剥离液处理工艺以及超声处理工艺去除所述第一光刻胶层，与原第一光刻胶层表面连接的加厚金属层随之脱落。
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种晶圆的加工方法，其特征在于，所述接触层为欧姆接触金属层。
3.如权利要求1所述的一种晶圆的加工方法，其特征在于，通过负胶光刻工艺形成所述第一光刻胶层。
4.如权利要求1所述的一种晶圆的加工方法，其特征在于，通过电子束蒸发工艺或者通过磁控溅射镀膜工艺沉积形成加厚金属层。
5.如权利要求1所述的一种晶圆的加工方法，其特征在于，通过进行浸泡剥离液处理工艺以及超声处理工艺去除所述第一光刻胶层，与原第一光刻胶层表面连接的加厚金属层随之脱落。
6.如权利要求5所述的一种晶圆的加工方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷剑鹏，李梅溶，龚彬彬，张梦龙，王小周，李京波，
申请(专利权)人：浙江芯科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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