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本申请公开了一种晶圆的加工方法，包括如下步骤：提供形成有器件层的晶圆；在器件层表面形成接触层，器件层上形成有正切割槽口；在接触层表面形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层及接触层表面沉积形成加厚金属层；去除第一光刻胶层上的加厚金属层以及第一光刻胶...
该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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