【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包括igbt区域以及二极管区域的半导体装置。
技术介绍
1、专利文献1中公开了作为半导体装置的一例的rc-igbt(reverse conducting-insulated gate bipolar transistor)。rc-igbt包括形成于共通的半导体层的igbt区域以及二极管区域。igbt区域包括igbt。二极管区域包括二极管。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2010-118642号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在包括igbt区域以及二极管区域的半导体装置中，会存在对igbt施加偏压的前后二极管的顺方向电压vf变动的问题。这是由于从igbt区域向二极管区域的载流子的流入量在对igbt施加偏压的前后变动而导致。
3、为了解决该问题，考虑只在一处形成二极管区域。由此，由于能够限制载流子的流入路径，因此能够抑制二极管的顺方向电压vf的变动。可是，该情况下，会因对二极管区域的电流集中(过电流)导致破坏忍耐量降低。
4、本专利技术的一实施方式提供一种能够抑制对igbt施加偏压前后中的二极管的顺方向电压vf的变动的同时实现破坏忍耐量的提高的半导体装置。
5、用于解决课题的方案
6、本专利技术的一实施方式提供一种半导体装置，该半导体装置包括具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面且包括有源区域的半导体层、形成于上述有源区域的多个ig
7、根据该半导体装置，在抑制对igbt施加偏压前后中的二极管的顺方向电压vf的变动的同时能够实现破坏忍耐量的提高。
8、本专利技术中的上述或其他目的、特征以及效果参照附图并通过以下所叙述的实施方式的说明而清楚。
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1.一种半导体装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4任一项所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1～5任一项所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～6任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求7～9任一项所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求1～10任一项所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求1～11任一项所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求1～14任一项所述的半导体装置，其特征在于
16.根据权利要求1～15任一项所述的半导体装置，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求16或17所述的半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其特征在于，
20.根据权利要求1～19任一项所述的半导体装置，其特征在于，
21.一种半导体装置，其特征在于，
22.根据权利要求21所述的半导体装置，其特征在于，
23.根据权利要求22所述的半导体装置，其特征在于，
24.根据权利要求22或23所述的半导体装置，其特征在于，
25.根据权利要求24所述的半导体装置，其特征在于，
26.根据权利要求24或25所述的半导体装置，其特征在于，
27.根据权利要求24～26任一项所述的半导体装置，其特征在于，
28.根据权利要求24～27任一项所述的半导体装置，其特征在于，
29.根据权利要求24～28任一项所述的半导体装置，其特征在于，
30.根据权利要求29所述的半导体装置，其特征在于，
31.根据权利要求21～30任一项所述的半导体装置，其特征在于，
32.根据权利要求31所述的半导体装置，其特征在于，
33.根据权利要求31或32所述的半导体装置，其特征在于，
34.根据权利要求33所述的半导体装置，其特征在于，
35.根据权利要求33或34所述的半导体装置，其特征在于，
36.根据权利要求33～35任一项所述的半导体装置，其特征在于，
37.根据权利要求36所述的半导体装置，其特征在于，
38.根据权利要求21～37任一项所述的半导体装置，其特征在于，
39.根据权利要求21～38任一项所述的半导体装置，其特征在于，
40.根据权利要求21～39任一项所述的半导体装置，其特征在于，
41.一种半导体装置，其特征在于，
42.根据权利要求41所述的半导体装置，其特征在于，
43.根据权利要求41或42所述的半导体装置，其特征在于，
44.根据权利要求43所述的半导体装置，其特征在于，
45.根据权利要求44所述的半导体装置，其特征在于，
46.根据权利要求45所述的半导体装置，其特征在于，
47.根据权利要求46所述的半导体装置，其特征在于，
48.根据权利要求46或47所述的半导体装置，其特征在于，
49.根据权利要求41～48任一项所述的半导体装置，其特征在于，
50.根据权利要求41～49任一项所述的半导体装置，其特征在于，
51.根据权利要求50所述的半导体装置，其特征在于，
52.根据权利要求50或51所述的半导体装置，其特征在于，
53.根据权利要求41～52任一项所述的半导体装置，其特征在于，
54.根据权利要求53所述的半导体装置，其特征在于，
55.根据权利要求54所述的半导体装置，其特征在于，
56.根据权利要求54或55所述的半导体装置，其特征在于，
57.根据权利要求41～56任一项所述的半导体装置，其特征在于，
58.根据权利要求41～57任...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4任一项所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1～5任一项所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～6任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求7～9任一项所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求1～10任一项所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求1～11任一项所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求1～14任一项所述的半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求1～15任一项所述的半导体装置，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求16或17所述的半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其特征在于，
20.根据权利要求1～19任一项所述的半导体装置，其特征在于，
21.一种半导体装置，其特征在于，
22.根据权利要求21所述的半导体装置，其特征在于，
23.根据权利要求22所述的半导体装置，其特征在于，
24.根据权利要求22或23所述的半导体装置，其特征在于，
25.根据权利要求24所述的半导体装置，其特征在于，
26.根据权利要求24或25所述的半导体装置，其特征在于，
27.根据权利要求24～26任一项所述的半导体装置，其特征在于，
28.根据权利要求24～27任一项所述的半导体装置，其特征在于，
29.根据权利要求24～28任一项所述的半导体装置，其特征在于，
30.根据权利要求29所述的半导体装置，其特征在于，
31.根据权利要求21～30任一项所述的半导体装置，其特征在于，
32.根据权利要求31所述的半导体装置，其特征在于，
33.根据权利要求31或32所述的半导体装置，其特征在于，
34.根据权利要求33所述的半导体装置，其特征在于，
35.根据权利要求33或34所述的半导体装置，其特征在于，
36.根据权利要求33～35任一项所述的半导体装置，其特征...
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